Datasheet > KN4F3R-A

KN4F3R-A

更新时间： 2024-02-29 03:48:30

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体管
页数	文件大小	规格书
22页	345K
描述
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KN4F3R-A 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SC-75
包装说明：	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3	针数：	3
Reach Compliance Code：	compliant	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8541.21.00.95	风险等级：	5.52
其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.364	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
集电极-发射极最大电压：	50 V	配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)：	95	JESD-30 代码：	R-PDSO-G3
JESD-609代码：	e6	元件数量：	1
端子数量：	3	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
极性/信道类型：	PNP	认证状态：	Not Qualified
表面贴装：	YES	端子面层：	TIN BISMUTH
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KN4F3R-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

KN4xxx

RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR

FEATURES

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

• Compact package

• Resistors built-in type

• Complementary to KA4xxx

+0.1

–0

0.3

+0.1

–0.05

0.15

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

0 to 0.1

PACKAGE

KN4xxx

SC-75 (USM)

+0.1

–0

0.2

0.6

0.05

0.5

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

0.75

1.0

1.6 ± 0.1

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C

−60

−50

EQUIVALENT CIRCUIT

PIN CONNECTION

1: Emitter

Note1

−0.1

Collector Current (pulse) ^Note2IC(pulse)

−0.2

2: Base

Total Power Dissipation ^Note3

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

0.2

°C

3: Collector

150

T^stg

–55 to +150

Note 1.

PART NUMBER

VEBO

(V)

MARK

R¹

R²

PART NUMBER

VEBO

(V)

MARK

R¹

R²

(kΩ)

10.0

22.0

47.0

4.7

(kΩ)

KN4A4M

KN4F4M

KN4L4M

KN4L3M

KN4L3N

KN4L3Z

KN4A3Q

KN4A4P

KN4F4N

−10

−5

10.0

22.0

47.0

4.7

KN4L4L

KN4A4Z

KN4F4Z

KN4L4Z

KN4F3M

KN4F3P

KN4F3R

KN4A4L

KN4L4K

−15

−5

47.0

10.0

22.0

47.0

2.2

22.0

−5

4.7

10.0

−10

−5

2.2

10.0

47.0

4.7

−5

4.7

2.2

−5

1.0

10.0

47.0

−5

2.2

−5

10.0

22.0

−15

−25

10.0

47.0

−5

10.0

Note 2. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

Note 3. Mounted on ceramic substrate of 3.0 cm²x 0.64 mm

<R>

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16489EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published April 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

12 3 4 5 6 7...22

中文翻译

下载PDF

与KN4F3R-A相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KN4F3R-AT	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4F3R-T1	NEC	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4F3R-T1-AT	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4F3R-T2-AT	NEC	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4F4M	NEC	获取价格	RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
KN4F4M-AT	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4F4M-AZ	NEC	获取价格	暂无描述
KN4F4N	NEC	获取价格	RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
KN4F4N-AT	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4F4N-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, USM, SC

与KN4F3R-A相关文章

MAX232IDR数据手册：产品特性、电气参数、替代型号推荐
2024-07-02

1
2N7002DW数据手册：参数解读、引脚信息、替代型号推荐
2024-07-02

1
网络滤波器、EMI滤波器与EMC滤波器在电子元器件中的分类关系
2024-07-02

1
NTC热敏电阻与PTC热敏电阻的应用原理及选型原则
2024-07-02

2

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

KN4F3R-A

KN4F3R-A 技术参数

KN4F3R-A 数据手册

与KN4F3R-A相关器件

与KN4F3R-A相关文章

您还可以找

产品中心

服务支持

精选活动

关于我们

帮助中心

KN4F3R-A

KN4F3R-A 技术参数

KN4F3R-A 数据手册

与KN4F3R-A相关器件

与KN4F3R-A相关文章

您还可以找

您在本页遇到什么问题？