5秒后页面跳转
| 是否Rohs认证： | 不符合 | 生命周期： | Obsolete |
| 零件包装代码： | SC-75 | 包装说明： | SMALL OUTLINE, R-PDSO-G3 |
| 针数： | 3 | Reach Compliance Code： | compliant |
| ECCN代码： | EAR99 | HTS代码： | 8541.21.00.95 |
| 风险等级： | 5.52 | 其他特性： | BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO 2.136 |
| 最大集电极电流 (IC)： | 0.1 A | 集电极-发射极最大电压： | 50 V |
| 配置： | SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR | 最小直流电流增益 (hFE)： | 95 |
| JESD-30 代码： | R-PDSO-G3 | JESD-609代码： | e0 |
| 元件数量： | 1 | 端子数量： | 3 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | SMALL OUTLINE | 峰值回流温度（摄氏度）： | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型： | PNP | 认证状态： | Not Qualified |
| 表面贴装： | YES | 端子面层： | TIN LEAD |
| 端子形式： | GULL WING | 端子位置： | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED | 晶体管元件材料： | SILICON |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KN4F4N-AT | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75 |
|
| KN4F4N-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, USM, SC |
|
| KN4F4Z | NEC |
获取价格 |
RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR |
|
| KN4F4Z-A | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75 |
|
| KN4F4Z-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-75, |
|
| KN4F4Z-T1-AT | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75 |
|
| KN4L3M | NEC |
获取价格 |
RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR |
|
| KN4L3M-AZ | NEC |
获取价格 |
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, SC-75, |
|
| KN4L3M-T1 | NEC |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75 |
|
| KN4L3M-T1-AT | RENESAS |
获取价格 |
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75 |
|
解析光耦仿真器：升级光耦合器技术的必要性
英伟达新一代Blackwell GPU过热问题致交付延迟
国产厂商思特威CMOS图像传感器芯片单月出货超1亿颗，技术创新引领行业发展
台积电5nm和3nm产能利用率达100%，半导体行业景气度持续攀升
工作时间：9:00-21:00
CEO邮箱：ceo@jiepei.com
投诉邮箱：tousu@jiepei.com
微信公众号
抖音公众号
浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119
营业执照ICP证
技术参数
数据手册
如果您发现信息不准确，
