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KN4A4L-T2-A

更新时间： 2024-01-01 14:15:46

品牌	Logo	应用领域
日电电子 - NEC		晶体管
页数	文件大小	规格书
22页	345K
描述
PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75

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KN4A4L-T2-A 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	,	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最大集电极电流 (IC)：	0.1 A
最小直流电流增益 (hFE)：	20	元件数量：	1
极性/信道类型：	PNP	最大功率耗散 (Abs)：	0.2 W
子类别：	BIP General Purpose Small Signal	表面贴装：	YES
晶体管元件材料：	SILICON	Base Number Matches：	1

KN4A4L-T2-A 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

KN4xxx

RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR

FEATURES

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

• Compact package

• Resistors built-in type

• Complementary to KA4xxx

+0.1

–0

0.3

+0.1

–0.05

0.15

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

0 to 0.1

PACKAGE

KN4xxx

SC-75 (USM)

+0.1

–0

0.2

0.6

0.05

0.5

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

0.75

1.0

1.6 ± 0.1

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C

−60

−50

EQUIVALENT CIRCUIT

PIN CONNECTION

1: Emitter

Note1

−0.1

Collector Current (pulse) ^Note2IC(pulse)

−0.2

2: Base

Total Power Dissipation ^Note3

Junction Temperature

Storage Temperature

T^j

0.2

°C

3: Collector

150

T^stg

–55 to +150

Note 1.

PART NUMBER

VEBO

(V)

MARK

R¹

R²

PART NUMBER

VEBO

(V)

MARK

R¹

R²

(kΩ)

10.0

22.0

47.0

4.7

(kΩ)

KN4A4M

KN4F4M

KN4L4M

KN4L3M

KN4L3N

KN4L3Z

KN4A3Q

KN4A4P

KN4F4N

−10

−5

10.0

22.0

47.0

4.7

KN4L4L

KN4A4Z

KN4F4Z

KN4L4Z

KN4F3M

KN4F3P

KN4F3R

KN4A4L

KN4L4K

−15

−5

47.0

10.0

22.0

47.0

2.2

22.0

−5

4.7

10.0

−10

−5

2.2

10.0

47.0

4.7

−5

4.7

2.2

−5

1.0

10.0

47.0

−5

2.2

−5

10.0

22.0

−15

−25

10.0

47.0

−5

10.0

Note 2. PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

Note 3. Mounted on ceramic substrate of 3.0 cm²x 0.64 mm

<R>

The information in this document is subject to change without notice. Before using this document, please

confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16489EJ5V0DS00 (5th edition)

Date Published April 2006 NS CP(K)

Printed in Japan

2002

The mark <R> shows major revised points.

The revised points can be easily searched by copying an "<R>" in the PDF file and specifying it in the "Find what:" field.

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KN4A4L-T2-AT	NEC	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4A4M	NEC	获取价格	RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
KN4A4M-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, USM, SC
KN4A4M-T1	NEC	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4A4M-T1-AT	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4A4P	NEC	获取价格	RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
KN4A4P-AZ	NEC	获取价格	Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, USM, SC
KN4A4Z	NEC	获取价格	RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR
KN4A4Z-AZ	RENESAS	获取价格	100mA, 50V, PNP, Si, SMALL SIGNAL TRANSISTOR, SC-75, 3 PIN
KN4A4Z-T2-A	NEC	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75

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