KN4A3Q-AZ

更新时间： 2024-11-18 13:09:07

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日电电子 - NEC		晶体小信号双极晶体管光电二极管
页数	文件大小	规格书
22页	379K
描述
Small Signal Bipolar Transistor, 0.1A I(C), 50V V(BR)CEO, 1-Element, PNP, Silicon, USM, SC-75, 3 PIN

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KN4A3Q-AZ 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Transferred
包装说明：	USM, SC-75, 3 PIN	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	其他特性：	BUILT IN BIAS RESISTOR RATIO IS 10
最大集电极电流 (IC)：	0.1 A	集电极-发射极最大电压：	50 V
配置：	SINGLE WITH BUILT-IN RESISTOR	最小直流电流增益 (hFE)：	80
JESD-30 代码：	R-PDSO-G3	元件数量：	1
端子数量：	3	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	极性/信道类型：	PNP
认证状态：	Not Qualified	表面贴装：	YES
端子形式：	GULL WING	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	晶体管元件材料：	SILICON
Base Number Matches：	1

KN4A3Q-AZ 数据手册

DATA SHEET

SILICON TRANSISTOR

KN4xxx

RESISTOR BUILT-IN TYPE PNP TRANSISTOR

FEATURES

PACKAGE DRAWING (Unit: mm)

• Compact package

• Resistors built-in type

• Complementary to KA4xxx

+0.1

–0

0.3

+0.1

0.15

–0.05

0 to 0.1

ORDERING INFORMATION

PART NUMBER

PACKAGE

+0.1

0.2

–0

KN4xxx

SC-75 (USM)

0.6

0.5

0.75 0.05

1.0

1.6 0.1

ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (TA = 25°C)

Collector to Base Voltage

Collector to Emitter Voltage

Emitter to Base Voltage

Collector Current (DC)

Collector Current (pulse) ^Note

Total Power Dissipation

Junction Temperature

VCBO

V^CEO

V^EBO

I^C

−60

−50

−5

EQUIVALENT CIRCUIT

PIN CONNECTION

1: Emitter

−0.1

IC(pulse)

P^T

−0.2

2: Base

0.15

°C

3: Collector

T^j

150

Storage Temperature

T^stg

–55 to +150

Note PW ≤ 10 ms, Duty Cycle ≤ 50%

PART NUMBER

KN4A4M

KN4F4M

KN4L4M

KN4L3M

KN4L3N

MARK

UNIT

kΩ

PART NUMBER

KN4L4L

MARK

UNIT

kΩ

10.0

22.0

47.0

4.7

10.0

22.0

47.0

4.7

47.0

10.0

22.0

47.0

2.2

22.0

KN4A4Z

KN4F4Z

KN4L4Z

4.7

10.0

KN4F3M

KN4F3P

KN4F3R

KN4A4L

2.2

10.0

47.0

4.7

KN4L3Z

4.7

2.2

KN4A3Q

KN4A4P

KN4F4N

1.0

10.0

47.0

2.2

10.0

22.0

10.0

47.0

KN4L4K

10.0

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confirm that this is the latest version.

Not all products and/or types are available in every country. Please check with an NEC Electronics

sales representative for availability and additional information.

Document No. D16489EJ3V0DS00 (3rd edition)

Date Published October 2004 NS CP(K)

Printed in Japan

The mark

shows major revised points.

2002

12 3 4 5 6 7...22

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KN4A3Q-T1-A	RENESAS	获取价格	Built-in Resistor Bipolar Transistors, USM, /
KN4A3Q-T1-AT	RENESAS	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4A3Q-T2	NEC	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
KN4A3Q-T2-A	NEC	获取价格	PRE-BIASED "DIGITAL" TRANSISTOR,50V V(BR)CEO,100MA I(C),SC-75
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