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KMM584100N-6

更新时间: 2024-11-21 20:02:47
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 284K
描述
Fast Page DRAM Module, 4MX8, 60ns, CMOS, SIMM-30

KMM584100N-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:,针数:30
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
访问模式:FAST PAGE最长访问时间:60 ns
其他特性:RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESHJESD-30 代码:R-XSMA-N30
内存密度:33554432 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM MODULE
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:30
字数:4194304 words字数代码:4000000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:4MX8
封装主体材料:UNSPECIFIED封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
刷新周期:2048最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:NO技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子形式:NO LEAD
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

KMM584100N-6 数据手册

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