生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | SIMM |
包装说明: | , | 针数: | 30 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.02 | 风险等级: | 5.84 |
访问模式: | FAST PAGE | 最长访问时间: | 60 ns |
其他特性: | RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN REFRESH | JESD-30 代码: | R-XSMA-N30 |
内存密度: | 33554432 bit | 内存集成电路类型: | FAST PAGE DRAM MODULE |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 30 |
字数: | 4194304 words | 字数代码: | 4000000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 4MX8 | |
封装主体材料: | UNSPECIFIED | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | MICROELECTRONIC ASSEMBLY | 认证状态: | Not Qualified |
刷新周期: | 2048 | 最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V |
最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V | 标称供电电压 (Vsup): | 5 V |
表面贴装: | NO | 技术: | CMOS |
温度等级: | COMMERCIAL | 端子形式: | NO LEAD |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KMM584100N-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 4MX8, 80ns, CMOS, SIMM-30 | |
KMM59 | TYSEMI |
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SILICON PLANAR ZENER DIODES | |
KMM591000AN-10 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 100ns, CMOS, SIMM-30 | |
KMM591000AN-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 | |
KMM591000AN-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 | |
KMM591000B-8 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 | |
KMM591000BN-6 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30 | |
KMM591000CN-6 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 60ns, CMOS, SIMM-30 | |
KMM591000CN-7 | SAMSUNG |
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Fast Page DRAM Module, 1MX9, 70ns, CMOS, SIMM-30 | |
KMM591000CN-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM Module, 1MX9, 80ns, CMOS, SIMM-30 |