5秒后页面跳转
KMM5324104BK/BKG-6 PDF预览

KMM5324104BK/BKG-6

更新时间: 2024-11-06 14:51:55
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器内存集成电路
页数 文件大小 规格书
4页 282K
描述
EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, SIMM-72

KMM5324104BK/BKG-6 技术参数

生命周期:Obsolete零件包装代码:SIMM
包装说明:SIMM,针数:72
Reach Compliance Code:unknownECCN代码:EAR99
HTS代码:8542.32.00.02风险等级:5.84
Is Samacsys:N访问模式:FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间:60 nsJESD-30 代码:R-XSMA-N72
内存密度:134217728 bit内存集成电路类型:EDO DRAM MODULE
内存宽度:32功能数量:1
端口数量:1端子数量:72
字数:4194304 words字数代码:4000000
组织:4MX32封装主体材料:UNSPECIFIED
封装代码:SIMM封装形状:RECTANGULAR
封装形式:MICROELECTRONIC ASSEMBLY认证状态:Not Qualified
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:NO
技术:CMOS端子形式:NO LEAD
端子位置:SINGLEBase Number Matches:1

KMM5324104BK/BKG-6 数据手册

 浏览型号KMM5324104BK/BKG-6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KMM5324104BK/BKG-6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KMM5324104BK/BKG-6的Datasheet PDF文件第4页 

与KMM5324104BK/BKG-6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMM5324104BK-7 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 4MX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM5324104CK SAMSUNG

获取价格

4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5324104CK-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM5324104CKG SAMSUNG

获取价格

4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V
KMM5324104CKG-5 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 4MX32, 50ns, CMOS, DIMM-72
KMM5324104CKG-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM532512BW-7 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM Module, 512KX32, 70ns, CMOS, SIMM-72
KMM532512BW-8 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM Module, 512KX32, 80ns, CMOS, SIMM-72
KMM532512BWG-6 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM Module, 512KX32, 60ns, CMOS, SIMM-72
KMM532512BWG-7 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM Module, 512KX32, 70ns, CMOS, SIMM-72