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KMM5324104CK

更新时间： 2024-11-08 22:36:07
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器
页数 文件大小 规格书
15页 270K
描述
4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V

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KMM5324104CK 数据手册

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KMM5324004CK/CKG  
KMM5324104CK/CKG  
DRAM MODULE  
KMM5324004CK/CKG & KMM5324104CK/CKG Fast Page Mode with EDO Mode  
4M x 32 DRAM SIMM using 4Mx4, 4K/2K Refresh, 5V  
GENERAL DESCRIPTION  
FEATURES  
The Samsung KMM53240(1)04CK is a 4Mx32bits Dynamic  
RAM high density memory module. The Samsung  
KMM53240(1)04CK consists of eight CMOS 4Mx4bits DRAMs  
in 24-pin SOJ package mounted on a 72-pin glass-epoxy sub-  
strate. A 0.1 or 0.22uF decoupling capacitor is mounted on the  
printed circuit board for each DRAM. The KMM53240(1)04CK  
is a Single In-line Memory Module with edge connections and  
is intended for mounting into 72 pin edge connector sockets.  
• Part Identification  
- KMM5324004CK(4096 cycles/64ms Ref, SOJ, Solder)  
- KMM5324004CKG(4096 cycles/64ms Ref, SOJ, Gold)  
- KMM5324104CK(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Solder)  
- KMM5324104CKG(2048 cycles/32ms Ref, SOJ, Gold)  
• Fast Page Mode with Extended Data Out  
• CAS-before-RAS refresh capability  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• TTL compatible inputs and outputs  
PERFORMANCE RANGE  
• Single +5V±10% power supply  
Speed  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
25ns  
30ns  
• 1st Gen. JEDEC standard PDPin & pinout  
• PCB : Height(1000mil), single sided component  
-5  
90ns  
110ns  
-6  
PIN CONFIGURATIONS  
PIN NAMES  
Pin  
Symbol  
Pin  
Symbol  
Pin Name  
A0 - A11  
Function  
Address Inputs(4K Ref)  
Address Inputs(2K Ref)  
Data In/Out  
1
2
3
4
5
6
7
8
VSS  
DQ0  
DQ16  
DQ1  
DQ17  
DQ2  
DQ18  
DQ3  
DQ19  
Vcc  
NC  
A0  
A1  
A2  
A3  
A4  
A5  
A6  
37  
38  
39  
40  
41  
42  
43  
44  
45  
46  
47  
48  
49  
50  
51  
52  
53  
54  
55  
56  
57  
58  
59  
60  
61  
62  
63  
64  
65  
66  
67  
68  
69  
70  
71  
72  
NC  
NC  
VSS  
A0 - A10  
CAS0  
CAS2  
CAS3  
CAS1  
RAS0  
Res(RAS1)  
NC  
DQ0 - DQ31  
W
Read/Write Enable  
Row Address Strobe  
Column Address Strobe  
Presence Detect  
Power(+5V)  
RAS0  
9
CAS0 - CAS3  
PD1 -PD4  
Vcc  
10  
11  
12  
13  
14  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
29  
30  
31  
32  
33  
34  
35  
36  
W
NC  
DQ8  
DQ24  
DQ9  
Vss  
Ground  
DQ25  
DQ10  
DQ26  
DQ11  
DQ27  
DQ12  
DQ28  
VCC  
DQ29  
DQ13  
DQ30  
DQ14  
DQ31  
DQ15  
NC  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
NC  
Vss  
NC  
No Connection  
A10  
DQ4  
DQ20  
DQ5  
DQ21  
DQ6  
DQ22  
DQ7  
DQ23  
A7  
A11  
Vcc  
A8  
A9  
PRESENCE DETECT PINS (Optional)  
Pin  
50NS  
60NS  
PD1  
PD2  
PD3  
PD4  
Vss  
NC  
Vss  
NC  
NC  
NC  
Vss  
Vss  
* Pin connection changing available  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
Res(RAS1)  
RAS0  
NC  
NC  
* NOTE : A11 is used for only KMM5324004CK/CKG (4K ref.)  
1234567...15

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KMM5324104CK-6 SAMSUNG

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 		EDO DRAM Module, 4MX32, 60ns, CMOS, DIMM-72
KMM5324104CKG SAMSUNG

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