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KM68FR2000Z-30

更新时间： 2024-11-11 19:42:55

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
12页	369K
描述
Standard SRAM, 256KX8, 300ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48

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KM68FR2000Z-30 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA36,6X8,30
针数：	48	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	3A991.B.2.A	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	300 ns
其他特性：	CAN BE USED AS 2.5 VOLTS NOMINAL SUPPLY	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PBGA-B48	JESD-609代码：	e0
长度：	13.75 mm	内存密度：	2097152 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	8
功能数量：	1	端子数量：	48
字数：	262144 words	字数代码：	256000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	256KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA36,6X8,30
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	1.8/2.7 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	0.81 mm	最大待机电流：	0.00001 A
最小待机电流：	1.5 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.015 mA	最大供电电压 (Vsup)：	2.7 V
最小供电电压 (Vsup)：	1.8 V	标称供电电压 (Vsup)：	2 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	BALL	端子节距：	0.75 mm
端子位置：	BOTTOM	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6.2 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM68FR2000ZI-30	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX8, 300ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, CSP-48
KM68FS1000AFI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PBGA48, 0.75 MM PITCH, FBGA-48
KM68FS1000ATGI-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
KM68FS1000ATGI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 8 X 13.40 MM, STSOP1-32
KM68FS1000G-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32
KM68FS1000G-12	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM68FS1000G-12H	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 120ns, CMOS, PDSO32
KM68FS1000G-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM68FS1000GI-7	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 70ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM68FS1000R-10	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 128KX8, 100ns, CMOS, PDSO32