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KM684000BLTI-7L PDF预览

KM684000BLTI-7L

更新时间: 2024-11-28 22:30:59
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
9页 173K
描述
512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

KM684000BLTI-7L 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2, TSOP32,.46
针数:32Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.AHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.83最长访问时间:70 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-G32
JESD-609代码:e0长度:20.95 mm
内存密度:4194304 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8功能数量:1
端口数量:1端子数量:32
字数:524288 words字数代码:512000
工作模式:ASYNCHRONOUS最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:512KX8
输出特性:3-STATE可输出:YES
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2
封装等效代码:TSOP32,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行:PARALLEL
电源:5 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:1.2 mm最大待机电流:0.00002 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.08 mA最大供电电压 (Vsup):5.5 V
最小供电电压 (Vsup):4.5 V标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL宽度:10.16 mm
Base Number Matches:1

KM684000BLTI-7L 数据手册

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CMOS SRAM  
KM684000B Family  
Document Title  
512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
Revision History  
Revision No. History  
Draft Date  
Remark  
0.0  
Initial Draft  
December 7, 1996  
Advance  
0.1  
Revise  
March 6, 1997  
Preliminary  
- Changed Operating current by reticle revision  
ICC at write : 35mA ® 45mA  
ICC1 at read/write : 15/35mA ® 10/45mA  
1.0  
Finalize  
October 9, 1997  
Final  
- Changed Operating current  
ICC1 at write : 45mA ® 40mA  
ICC2; 90mA ® 80mA  
- Change test load at 55ns : 100pF ® 50pF  
2.0  
3.0  
Revise  
- Change datasheet format  
February 17, 1998  
Final  
Revise  
September 8, 1998 Final  
- Industrial product speed bin change:70/100ns ® 55/70ns  
The attached datasheets are provided by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the specifications and  
products. SAMSUNG Electronics will answer to your questions about device. If you have any questions, please contact the SAMSUNG branch offices.  
Revision 3.0  
1
September 1998  

KM684000BLTI-7L 替代型号

型号 品牌 替代类型 描述 数据表
CY62148BNLL-70ZI CYPRESS

功能相似

4-Mbit (512K x 8) Static RAM
CY62148BNLL-70ZXI CYPRESS

功能相似

4-Mbit (512K x 8) Static RAM
KM684000BLT-7L SAMSUNG

功能相似

512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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KM684000C SAMSUNG

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512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM684000CL SAMSUNG

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512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM684000CLG-5 SAMSUNG

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512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM684000CLG-5000 SAMSUNG

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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
KM684000CLG-5L SAMSUNG

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512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM684000CLG-5L00 SAMSUNG

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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32, 0.525 INCH, SOP-32
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Standard SRAM, 512KX8, 55ns, CMOS, PDSO32
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512Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
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