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Datasheet > 暂无类别数据> CY62148BNLL-70ZI
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CY62148BNLL-70ZI

更新时间： 2024-11-20 06:51:35
品牌 Logo 应用领域
赛普拉斯 - CYPRESS /
页数 文件大小 规格书
10页 319K
描述
4-Mbit (512K x 8) Static RAM

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CY62148BNLL-70ZI 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP2包装说明：TSOP2-32
针数：32Reach Compliance Code：not_compliant
ECCN代码：3A991.B.2.AHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.47最长访问时间：70 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G32
JESD-609代码：e0长度：20.95 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8湿度敏感等级：3
功能数量：1端子数量：32
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：85 °C
最低工作温度：-40 °C组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP32,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：235
电源：5 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00002 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.02 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：INDUSTRIAL端子面层：TIN LEAD
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mm

CY62148BNLL-70ZI 数据手册

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CY62148BN MoBL®  
4-Mbit (512K x 8) Static RAM  
Functional Description  
Features  
• High Speed  
The CY62148BN is a high-performance CMOS static RAM  
organized as 512K words by 8 bits. Easy memory expansion  
is provided by an active LOW Chip Enable (CE), an active  
LOW Output Enable (OE), and three-state drivers. This device  
has an automatic power-down feature that reduces power  
consumption by more than 99% when deselected.  
— 70 ns  
• 4.5V–5.5V operation  
• Low active power  
— Typical active current: 2.5 mA @ f = 1 MHz  
— Typical active current:12.5 mA @ f = fmax(70 ns)  
• Low standby current  
Writing to the device is accomplished by taking Chip Enable  
(CE) and Write Enable (WE) inputs LOW. Data on the eight I/O  
pins (I/O0 through I/O7) is then written into the location  
specified on the address pins (A0 through A18).  
• Automatic power-down when deselected  
• TTL-compatible inputs and outputs  
• Easy memory expansion with CE and OE features  
• CMOS for optimum speed/power  
Reading from the device is accomplished by taking Chip  
Enable (CE) and Output Enable (OE) LOW while forcing Write  
Enable (WE) HIGH for read. Under these conditions, the  
contents of the memory location specified by the address pins  
will appear on the I/O pins.  
• Available in standard lead-free and non-lead-free  
32-lead (450-mil) SOIC, 32-lead TSOP II and 32-lead  
Reverse TSOP II packages  
The eight input/output pins (I/O0 through I/O7) are placed in a  
high-impedance state when the device is deselected (CE  
HIGH), the outputs are disabled (OE HIGH), or during a write  
operation (CE LOW, and WE LOW).  
Logic Block Diagram  
I/O  
0
INPUT BUFFER  
I/O  
I/O  
1
2
A
0
A
1
A
4
A
5
A
6
I/O  
I/O  
I/O  
3
4
5
512K x 8  
ARRAY  
A
7
A
12  
A
14  
A
16  
A
17  
I/O  
6
7
POWER  
DOWN  
COLUMN  
DECODER  
CE  
I/O  
WE  
OE  
Cypress Semiconductor Corporation  
Document #: 001-06517 Rev. *A  
•
198 Champion Court  
•
San Jose, CA 95134-1709  
•
408-943-2600  
Revised August 2, 2006  
[+] Feedback  
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CY62148BNLL-70ZI 替代型号

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