是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Obsolete | 零件包装代码: | TSOP |
包装说明: | TSOP1, TSSOP28,.53,22 | 针数: | 28 |
Reach Compliance Code: | unknown | ECCN代码: | EAR99 |
HTS代码: | 8542.32.00.41 | 风险等级: | 5.68 |
Is Samacsys: | N | 最长访问时间: | 70 ns |
I/O 类型: | COMMON | JESD-30 代码: | R-PDSO-G28 |
JESD-609代码: | e0 | 长度: | 11.8 mm |
内存密度: | 262144 bit | 内存集成电路类型: | STANDARD SRAM |
内存宽度: | 8 | 功能数量: | 1 |
端口数量: | 1 | 端子数量: | 28 |
字数: | 32768 words | 字数代码: | 32000 |
工作模式: | ASYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 32KX8 | |
输出特性: | 3-STATE | 可输出: | YES |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | TSOP1 |
封装等效代码: | TSSOP28,.53,22 | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE | 并行/串行: | PARALLEL |
峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED | 电源: | 5 V |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.2 mm |
最大待机电流: | 0.00005 A | 最小待机电流: | 2 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.07 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 5.5 V | 最小供电电压 (Vsup): | 4.5 V |
标称供电电压 (Vsup): | 5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | GULL WING |
端子节距: | 0.55 mm | 端子位置: | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 8 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KM62256CLTG-7L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM62256CLTG-7LV | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 32KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 8 X 13.40 MM, TSOP1-28 | |
KM62256CLTGE-10 | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM62256CLTGE-10L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM62256CLTGE-7 | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM62256CLTGE-7L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM62256CLTGI-10 | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM62256CLTGI-10L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM62256CLTGI-7 | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM | |
KM62256CLTGI-7L | SAMSUNG |
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32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM |