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KM62256DLG-10L

更新时间: 2024-11-25 18:27:23
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
10页 576K
描述
Standard SRAM, 32KX8, 100ns, CMOS, PDSO28

KM62256DLG-10L 技术参数

是否无铅: 含铅是否Rohs认证: 不符合
生命周期:Obsolete包装说明:SOP, SOP28,.5
Reach Compliance Code:unknown风险等级:5.73
最长访问时间:100 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G28JESD-609代码:e0
内存密度:262144 bit内存集成电路类型:STANDARD SRAM
内存宽度:8湿度敏感等级:3
端子数量:28字数:32768 words
字数代码:32000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:32KX8输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:SOP
封装等效代码:SOP28,.5封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE并行/串行:PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度):260电源:5 V
认证状态:Not Qualified最大待机电流:0.00001 A
最小待机电流:2 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.07 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:GULL WING端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:40
Base Number Matches:1

KM62256DLG-10L 数据手册

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