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KM62256CLRG-5

更新时间： 2024-11-20 22:28:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 存储内存集成电路静态存储器光电二极管
页数 文件大小 规格书
10页 165K
描述
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM

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KM62256CLRG-5 技术参数

是否无铅： 含铅是否Rohs认证： 不符合
生命周期：Obsolete零件包装代码：TSOP
包装说明：TSOP1-R, TSSOP28,.53,22针数：28
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：EAR99
HTS代码：8542.32.00.41风险等级：5.89
Is Samacsys：N最长访问时间：55 ns
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：11.8 mm
内存密度：262144 bit内存集成电路类型：STANDARD SRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：32768 words字数代码：32000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32KX8
输出特性：3-STATE可输出：YES
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSOP1-R
封装等效代码：TSSOP28,.53,22封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE并行/串行：PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified反向引出线：YES
座面最大高度：1.2 mm最大待机电流：0.00005 A
最小待机电流：2 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：0.55 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：8 mmBase Number Matches：1

KM62256CLRG-5 数据手册

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PRELIMINARY  
KM62256C Family  
CMOS SRAM  
32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM  
FEATURES  
GENERAL DESCRIPTION  
The KM62256C family is fabricated by SAMSUNG's advanced  
CMOS process technology. The family can support various  
operating temperature ranges and has various package types  
for user flexibility of system design. The family also support low  
data retention voltage for battery back-up operation with low  
data retention current.  
¡ Ü  
§•  
Process Technology : 0.7  
Organization : 32Kx8  
CMOS  
¡ ¾  
¡ Ü  
¡ Ü  
¡ Ü  
¡ Ü  
¡ Ü  
Power Supply Voltage : Single 5V  
10%  
Low Data Retention Voltage : 2V(Min)  
Three state output and TTL Compatible  
Package Type : JEDEC Standard  
28-DIP, 28-SOP, 28-TSOP I -Forward/Reverse  
PRODUCT FAMILY  
Power Dissipation  
PKG Type  
Product  
Family  
Operating  
Temperature.  
Speed  
(ns)  
Standby  
Operating  
(Icc2)  
(ISB1, Max)  
KM62256CL  
28-DIP, 28-SOP  
28-TSOP I R/F  
§Ë  
§Ë  
§Ë  
§Ë  
§Ë  
§Ë  
100  
¡ É  
Commercial (0~70  
)
45*/55/70ns  
70/100ns  
70/100ns  
KM62256CL-L  
KM62256CLE  
KM62256CLE-L  
KM62256CLI  
KM62256CLI-L  
20  
28-SOP  
28-TSOP I R/F  
100  
¡ É  
)
Extended (-25~85  
70mA  
50  
28-SOP  
28-TSOP I R/F  
100  
¡ É  
)
Industrial (-40~85  
50  
* The parameter is measured with 30pF test load.  
PIN DESCRIPTION  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
A0~A2, A9~11  
Y-Decoder  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
A10  
OE  
2
CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
VSS  
I/O3  
I/O2  
I/O1  
A0  
A11  
A9  
3
4
A8  
A14  
A12  
A7  
1
28  
27  
26  
25  
24  
23  
22  
21  
20  
19  
18  
17  
16  
15  
VCC  
WE  
A13  
5
A13  
WE  
VCC  
A14  
A12  
A7  
A3~A8,  
6
2
28-TSOP  
Type I - Forward  
A12~14  
7
Cell  
Array  
8
3
9
4
A6  
A8  
10  
11  
12  
13  
14  
A6  
5
A5  
A9  
A5  
CS  
WE,OE  
A1  
A4  
6
A11  
A4  
A2  
A3  
I/O Buffer  
28-DIP  
28-SOP  
7
OE  
A10  
A3  
I/O1~8  
8
14  
13  
12  
11  
10  
9
A3  
A4  
15  
16  
17  
18  
19  
20  
21  
22  
23  
24  
25  
26  
27  
28  
A2  
A2  
A1  
9
CS  
I/O8  
I/O7  
I/O6  
I/O5  
I/O4  
A1  
A5  
A0  
A6  
I/O1  
I/O2  
I/O3  
VSS  
I/O4  
I/O5  
I/O6  
I/O7  
I/O8  
CS  
A10  
10  
11  
12  
13  
14  
A0  
A7  
A12  
A14  
VCC  
WE  
A13  
A8  
NameName  
Function  
O1  
O2  
O3  
VSS  
8
28-TSOP  
Type I - Reverse  
A0~A14  
Address Inputs  
Write Enable Input  
Chip Select Input  
Output Enable Input  
Data Inputs/Outputs  
Power(5V)  
7
6
WE  
5
4
CS  
A9  
3
A11  
2
OE  
1
OE  
I/O1~I/O8  
Vcc  
Vss  
Ground  
Revision 3.0  
April 1996  
1234567...10

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与KM62256CLRG-5相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM62256CLRG-5L SAMSUNG

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 		32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM62256CLRG-7 SAMSUNG

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 		32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM62256CLRG-7L SAMSUNG

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 		32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM62256CLRG-7LV SAMSUNG

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 		暂无描述
KM62256CLRGE-10 SAMSUNG

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 		32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM62256CLRGE-10L SAMSUNG

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 		32Kx8 bit Low Power CMOS Static RAM
KM62256CLRGI-10 SAMSUNG

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