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KM616V1000BLT-7L

更新时间： 2024-01-23 20:09:16

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	155K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 70ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-44

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技术参数
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KM616V1000BLT-7L 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2, TSOP44,.46,32
针数：	44	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.41
风险等级：	5.92	最长访问时间：	70 ns
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PDSO-G44
JESD-609代码：	e0	长度：	18.41 mm
内存密度：	1048576 bit	内存集成电路类型：	STANDARD SRAM
内存宽度：	16	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
输出特性：	3-STATE	可输出：	YES
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2
封装等效代码：	TSOP44,.46,32	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	并行/串行：	PARALLEL
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	1.2 mm	最大待机电流：	0.000015 A
最小待机电流：	2 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.065 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.8 mm
端子位置：	DUAL	宽度：	10.16 mm
Base Number Matches：	1

KM616V1000BLT-7L 数据手册

KM616V1000B, KM616U1000B Family

CMOS SRAM

Unit : millimeter(inch)

PACKAGE DIMENSIONS

0~8°

44 PIN THIN SMALL OUTLINE PACKAGE TYPE II (400F)

0.25

0.010

(

)

#44

#23

0.45 ~0.75

0.018 ~ 0.030

11.76±0.20

0.463±0.008

0.50

)

(

0.020

#22

1.00±0.10

0.039±0.004

18.81

0.741

1.20

0.047

MAX.

18.41±0.10

0.725±0.004

0.10

0.004

MAX

0.35±0.10

0.014±0.004

0.80

0.0315

0.805

0.032

(

)