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KM616V1002BJ-800

更新时间： 2024-09-24 15:36:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		静态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
9页	205K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

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KM616V1002BJ-800 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	SOJ
包装说明：	SOJ,	针数：	44
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	3A991.B.2.B
HTS代码：	8542.32.00.41	风险等级：	5.84
最长访问时间：	8 ns	JESD-30 代码：	R-PDSO-J44
长度：	28.58 mm	内存密度：	1048576 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	16
功能数量：	1	端子数量：	44
字数：	65536 words	字数代码：	64000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	64KX16
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	SOJ
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	SMALL OUTLINE
并行/串行：	PARALLEL	认证状态：	Not Qualified
座面最大高度：	3.76 mm	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	J BEND
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

KM616V1002BJ-800 数据手册

PRELIMINARY

Preliminary

PRELIMINARY

CMOS SRAM

KM616V1002B/BL, KM616V1002BI/BLI

Document Title

64Kx16 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating), Revolutionary Pin out.

Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.

Revision History

RevNo.

Rev. 0.0

Rev. 1.0

History

Draft Data

Remark

Initial release with Design Target.

Apr. 1st, 1997

Jun. 1st, 1997

Design Target

Preliminary

Release to Preliminary Data Sheet.

1.1. Replace Design Target to Preliminary.

Rev. 2.0

Release to Final Data Sheet.

Feb. 25th, 1998

Final

2.1. Delete Preliminary.

2.2. Add Capacitive load of the test environment in A.C test load.

2.3. Change D.C characteristics.

Previous spec.

(8/10/12ns part)

200/190/180mA

30mA

Changed spec.

(8/10/12ns part)

200/195/190mA

50mA

Items

ICC

ISB

Rev. 2.1

Aug. 4th, 1998

Final

Change Standby and Data Retention Current for L-ver.

Items

Previous spec.

Changed spec.

ISB

0.5mA

0.7mA

IDR at 3.0V

IDR at 2.0V

0.4mA

0.3mA

0.5mA

0.4mA

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

Rev 2.1

August 1998

- 1 -

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KM616V1002BLJ-80	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44
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