5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KM616V1002BJ-8
KM616V1002BJ-8 PDF预览

KM616V1002BJ-8

更新时间： 2024-01-07 16:20:00
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
9页 205K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

阅读下载

获取价格

KM616V1002BJ-8 技术参数

是否Rohs认证：不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ44,.44
针数：44Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：3A991.B.2.BHTS代码：8542.32.00.41
风险等级：5.73Is Samacsys：N
最长访问时间：8 nsI/O 类型：COMMON
JESD-30 代码：R-PDSO-J44JESD-609代码：e0
长度：28.58 mm内存密度：1048576 bit
内存集成电路类型：STANDARD SRAM内存宽度：16
功能数量：1端子数量：44
字数：65536 words字数代码：64000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：64KX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ44,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED
电源：3.3 V认证状态：Not Qualified
座面最大高度：3.76 mm最大待机电流：0.005 A
最小待机电流：3 V子类别：SRAMs
最大压摆率：0.2 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

KM616V1002BJ-8 数据手册

 浏览型号KM616V1002BJ-8的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KM616V1002BJ-8的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KM616V1002BJ-8的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KM616V1002BJ-8的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KM616V1002BJ-8的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KM616V1002BJ-8的Datasheet PDF文件第7页 
PRELIMINARY  
Preliminary  
PRELIMINARY  
CMOS SRAM  
KM616V1002B/BL, KM616V1002BI/BLI  
Document Title  
64Kx16 Bit High Speed Static RAM(3.3V Operating), Revolutionary Pin out.  
Operated at Commercial and Industrial Temperature Ranges.  
Revision History  
RevNo.  
Rev. 0.0  
Rev. 1.0  
History  
Draft Data  
Remark  
Initial release with Design Target.  
Apr. 1st, 1997  
Jun. 1st, 1997  
Design Target  
Preliminary  
Release to Preliminary Data Sheet.  
1.1. Replace Design Target to Preliminary.  
Rev. 2.0  
Release to Final Data Sheet.  
Feb. 25th, 1998  
Final  
2.1. Delete Preliminary.  
2.2. Add Capacitive load of the test environment in A.C test load.  
2.3. Change D.C characteristics.  
Previous spec.  
(8/10/12ns part)  
200/190/180mA  
30mA  
Changed spec.  
(8/10/12ns part)  
200/195/190mA  
50mA  
Items  
ICC  
ISB  
Rev. 2.1  
Aug. 4th, 1998  
Final  
Change Standby and Data Retention Current for L-ver.  
Items  
Previous spec.  
Changed spec.  
ISB  
0.5mA  
0.7mA  
IDR at 3.0V  
IDR at 2.0V  
0.4mA  
0.3mA  
0.5mA  
0.4mA  
The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the  
specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-  
tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.  
Rev 2.1  
August 1998  
- 1 -  
1234567...9

下载PDF

与KM616V1002BJ-8相关器件

型号 品牌 描述 获取价格 数据表
KM616V1002BJ-800 SAMSUNG Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

获取价格
KM616V1002BJI-10 SAMSUNG Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

获取价格
KM616V1002BJI-80 SAMSUNG Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

获取价格
KM616V1002BLIJ-10 SAMSUNG Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

获取价格
KM616V1002BLJ-10 SAMSUNG Standard SRAM, 64KX16, 10ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

获取价格
KM616V1002BLJ-80 SAMSUNG Standard SRAM, 64KX16, 8ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-44

获取价格

与KM616V1002BJ-8相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证