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KM616V1002AJ-12

更新时间: 2024-09-24 14:51:51
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 输入元件静态存储器光电二极管输出元件内存集成电路
页数 文件大小 规格书
7页 388K
描述
Standard SRAM, 64KX16, 12ns, CMOS, PDSO44, SOJ-44

KM616V1002AJ-12 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:SOJ包装说明:SOJ-44
针数:44Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:3A991.B.2.BHTS代码:8542.32.00.41
风险等级:5.58最长访问时间:12 ns
其他特性:TTL COMPATIBLE INPUTS AND OUTPUTSI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-J44JESD-609代码:e0
长度:28.58 mm内存密度:1048576 bit
内存集成电路类型:STANDARD SRAM内存宽度:16
功能数量:1端口数量:1
端子数量:44字数:65536 words
字数代码:64000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:64KX16输出特性:3-STATE
可输出:YES封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ44,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):NOT SPECIFIED
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
座面最大高度:3.76 mm最大待机电流:0.005 A
最小待机电流:3 V子类别:SRAMs
最大压摆率:0.17 mA最大供电电压 (Vsup):3.6 V
最小供电电压 (Vsup):3 V标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

KM616V1002AJ-12 数据手册

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