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KM48V512DLT-7

更新时间： 2024-11-02 15:46:35

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
7页	211K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-28

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KM48V512DLT-7 技术参数

生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP2,	针数：	28
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.84
Is Samacsys：	N	访问模式：	FAST PAGE
最长访问时间：	70 ns	其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
JESD-30 代码：	R-PDSO-G28	长度：	18.41 mm
内存密度：	4194304 bit	内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM
内存宽度：	8	功能数量：	1
端口数量：	1	端子数量：	28
字数：	524288 words	字数代码：	512000
工作模式：	ASYNCHRONOUS	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	512KX8
输出特性：	3-STATE	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	TSOP2	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	YES	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM48V512DT-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28
KM48V512DT-L6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28
KM48V514BJ-7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28
KM48V514BJ-8	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28
KM48V514BJ-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28
KM48V514BJ-L8	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28
KM48V514BLLJ-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28
KM48V514BLLJ-7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28
KM48V514BLLJ-8	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28
KM48V514BLLT-6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP2-28