5秒后页面跳转
捷配首页

Datasheet > KM48V512DT-L6
KM48V512DT-L6 PDF预览

KM48V512DT-L6

更新时间： 2024-11-02 15:45:03
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
20页 365K
描述
Fast Page DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28

阅读下载

中文翻译

获取价格

KM48V512DT-L6 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：TSOP包装说明：TSOP2, TSOP28,.46
针数：28Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.92访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：60 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-G28
JESD-609代码：e0长度：18.41 mm
内存密度：4194304 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：8功能数量：1
端口数量：1端子数量：28
字数：524288 words字数代码：512000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：512KX8
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：TSOP2封装等效代码：TSOP28,.46
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：3.3 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：1.2 mm自我刷新：YES
最大待机电流：0.0001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.07 mA最大供电电压 (Vsup)：3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：3 V标称供电电压 (Vsup)：3.3 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：GULL WING端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

KM48V512DT-L6 数据手册

 浏览型号KM48V512DT-L6的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KM48V512DT-L6的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KM48V512DT-L6的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KM48V512DT-L6的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KM48V512DT-L6的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KM48V512DT-L6的Datasheet PDF文件第7页 
KM48C512D, KM48V512D  
CMOS DRAM  
512K x 8Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 524,288 x 8 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory cells  
within the same row. Power supply voltage(+5.0V or +3.3V), Access time(-5,-6,-7), power consumption(Normal or Low power) and  
package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and  
Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This 512Kx8 Fast Page Mode DRAM family is  
fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power consumption and high reliability.  
It may be used as main memory unit for microcomputer, personal computer and portable machines.  
•
•
•
Fast Page Mode operation  
Byte Read/Write operation  
FEATURES  
CAS-before-RAS refresh capability  
•
Part Identification  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
- KM48C512D/DL (5V, 1K Ref.)  
- KM48V512D/DL (3.3V, 1K Ref.)  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
•
Active Power Dissipation  
•
•
JEDEC Standard pinout  
Unit : mW  
5V (1K Ref.)  
Available in 28-pin SOJ 400mil & TSOP(II) 400mil  
packages  
Speed  
-5  
3.3V (1K Ref.)  
-
470  
385  
360  
• Dual +5V±10% power supply(5V product)  
• Dual +3.3V±0.3V power supply(3.3V product)  
-6  
255  
235  
-7  
•
Refresh Cycles  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
Part  
VCC  
Refresh  
cycle  
Refresh period  
NO.  
RAS  
CAS  
W
Normal  
L-ver  
Vcc  
Vss  
Control  
Clocks  
C512D  
5V  
VBB Generator  
1K  
16ms  
128ms  
V512D 3.3V  
Data in  
Buffer  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
•
Performance Range  
Speed  
Remark  
5V Only  
5V/3.3V  
5V/3.3V  
tRAC  
50ns  
60ns  
70ns  
tCAC  
tRC  
tPC  
35ns  
DQ0  
to  
DQ7  
Memory Array  
524,288 x8  
Cells  
-5  
-6  
-7  
15ns  
90ns  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
15ns 110ns 40ns  
20ns 130ns 45ns  
A0 - A9  
A0 - A8  
Data out  
Buffer  
Column Decoder  
OE  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...20

中文翻译

下载PDF

与KM48V512DT-L6相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM48V514BJ-7 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28
KM48V514BJ-8 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28
KM48V514BJ-L6 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28
KM48V514BJ-L8 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, SOJ-28
KM48V514BLLJ-6 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28
KM48V514BLLJ-7 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 70ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28
KM48V514BLLJ-8 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, SOJ-28
KM48V514BLLT-6 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP2-28
KM48V514BLLT-8 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 80ns, CMOS, PDSO28, PLASTIC, TSOP2-28
KM48V514BT-6 SAMSUNG

获取价格

 		EDO DRAM, 512KX8, 60ns, CMOS, PDSO28, 0.400 INCH, TSOP2-28

与KM48V512DT-L6相关文章

您还可以找


热门产品
PCB打样/小批量
铝基板
BOM智能配单
PCBA制造
钣金
精密CNC
模具注塑
薄膜开关
精选活动
PCBA打样特惠
四六层板品质升级
铝基板品质升级
一体化电子制造
DFM下载
服务支持
企业认证
产品展示
工厂展示
工艺能力
积分商城
关于捷配
捷配简介
企业文化
公司动态
人才招聘
联系我们
帮助中心
下单流程
付款流程
开票流程
常见问题
全球PCB制造服务专线 400-613-0088

工作时间：9:00-21:00

CEO邮箱：ceo@jiepei.com

投诉邮箱：tousu@jiepei.com

捷配网-微信公众号 微信公众号
捷配网-微信公众号 抖音公众号
资质认证：
合作快递：
支付方式：
Copyright © 2024 Jiepei.com Inc. All Rights Reserved. 版权所有:杭州捷配信息科技有限公司 浙公网安备 33010502006866号 浙ICP备10014259号-119 营业执照ICP证