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KM44V1000BLLVR-10

更新时间： 2024-01-23 06:09:19

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	711K
描述
Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20

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KM44V1000BLLVR-10 技术参数

是否无铅：	含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	零件包装代码：	TSOP
包装说明：	TSOP1-R, TSSOP20/24,.63,20	针数：	20
Reach Compliance Code：	unknown	ECCN代码：	EAR99
HTS代码：	8542.32.00.02	风险等级：	5.92
访问模式：	FAST PAGE	最长访问时间：	100 ns
其他特性：	RAS ONLY; CAS BEFORE RAS; HIDDEN; SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G20	JESD-609代码：	e0
长度：	14.4 mm	内存密度：	4194304 bit
内存集成电路类型：	FAST PAGE DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	20	字数：	1048576 words
字数代码：	1000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	1MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP1-R
封装等效代码：	TSSOP20/24,.63,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED
电源：	3.3 V	认证状态：	Not Qualified
刷新周期：	1024	反向引出线：	YES
座面最大高度：	1.2 mm	自我刷新：	YES
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	DRAMs
最大压摆率：	0.05 mA	最大供电电压 (Vsup)：	3.6 V
最小供电电压 (Vsup)：	3 V	标称供电电压 (Vsup)：	3.3 V
表面贴装：	YES	技术：	CMOS
温度等级：	COMMERCIAL	端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.5 mm
端子位置：	DUAL	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
宽度：	6 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM44V1000BLV-10	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
KM44V1000BLVR-10	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, REVERSE, TSOP1-24/20
KM44V1000BV-10	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
KM44V1000BV-8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP1-24/20
KM44V1000CJ-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44V1000CJ-L8	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 80ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, SOJ-24
KM44V1000CLJ-6	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 60ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/20
KM44V1000CLLT-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, TSOP2-20
KM44V1000CLT-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDSO20, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/20
KM44V1000CP-7	SAMSUNG	获取价格	Fast Page DRAM, 1MX4, 70ns, CMOS, PDIP20, 0.300 INCH, DIP-20