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KM44C4002ASLTR-5

更新时间: 2024-11-07 21:12:27
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器静态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
18页 526K
描述
Static Column DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-24

KM44C4002ASLTR-5 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
零件包装代码:TSOP2包装说明:TSOP2-R, TSOP24/28,.46
针数:24Reach Compliance Code:unknown
ECCN代码:EAR99HTS代码:8542.32.00.02
风险等级:5.92Is Samacsys:N
访问模式:STATIC COLUMN最长访问时间:50 ns
其他特性:RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESHI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G24JESD-609代码:e0
长度:18.41 mm内存密度:16777216 bit
内存集成电路类型:STATIC COLUMN DRAM内存宽度:4
功能数量:1端口数量:1
端子数量:24字数:4194304 words
字数代码:4000000工作模式:ASYNCHRONOUS
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:4MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP2-R
封装等效代码:TSOP24/28,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
反向引出线:YES座面最大高度:1.2 mm
自我刷新:NO最大待机电流:0.0002 A
子类别:SRAMs最大压摆率:0.09 mA
最大供电电压 (Vsup):5.5 V最小供电电压 (Vsup):4.5 V
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
宽度:10.16 mmBase Number Matches:1

KM44C4002ASLTR-5 数据手册

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