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KM44C4004ALTR-5

更新时间： 2024-11-07 14:34:07

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		动态存储器光电二极管内存集成电路
页数	文件大小	规格书
8页	313K
描述
EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.400 INCH, PLASTIC, REVERSE, TSOP2-28/24

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KM44C4004ALTR-5 技术参数

是否Rohs认证：	不符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	TSOP2	包装说明：	TSOP2-R, TSOP24/28,.46
针数：	28/24	Reach Compliance Code：	unknown
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8542.32.00.02
风险等级：	5.9	Is Samacsys：	N
访问模式：	FAST PAGE WITH EDO	最长访问时间：	50 ns
其他特性：	RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN/SELF REFRESH	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PDSO-G24	JESD-609代码：	e0
长度：	18.41 mm	内存密度：	16777216 bit
内存集成电路类型：	EDO DRAM	内存宽度：	4
功能数量：	1	端口数量：	1
端子数量：	24	字数：	4194304 words
字数代码：	4000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	4MX4	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSOP2-R
封装等效代码：	TSOP24/28,.46	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE	电源：	5 V
认证状态：	Not Qualified	刷新周期：	4096
反向引出线：	YES	座面最大高度：	1.2 mm
自我刷新：	NO	最大待机电流：	0.0003 A
子类别：	DRAMs	最大压摆率：	0.1 mA
最大供电电压 (Vsup)：	5.5 V	最小供电电压 (Vsup)：	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：	5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Tin/Lead (Sn/Pb)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	1.27 mm	端子位置：	DUAL
宽度：	10.16 mm	Base Number Matches：	1

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KM44C4004CJ-6	SAMSUNG	获取价格	DRAM
KM44C4004CK-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
KM44C4004CK-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
KM44C4004CK-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-26/24
KM44C4004CS-L5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
KM44C4004CS-L6	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 60ns, CMOS, PDSO24, 0.300 INCH, PLASTIC, TSOP2-26/24
KM44C4004CT-6	SAMSUNG	获取价格	DRAM
KM44C4005BK-L7	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 70ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28
KM44C4005C	SAMSUNG	获取价格	4M x 4Bit CMOS Quad CAS DRAM with Extended Data Out
KM44C4005CK-5	SAMSUNG	获取价格	EDO DRAM, 4MX4, 50ns, CMOS, PDSO28, 0.300 INCH, PLASTIC, SOJ-28