5秒后页面跳转
KM44C16100BS-5K PDF预览

KM44C16100BS-5K

更新时间: 2023-02-15 00:00:00
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 809K
描述
Fast Page DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32

KM44C16100BS-5K 技术参数

是否Rohs认证:不符合生命周期:Obsolete
包装说明:TSOP, TSOP32,.46Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92Is Samacsys:N
最长访问时间:50 nsI/O 类型:COMMON
JESD-30 代码:R-PDSO-G32JESD-609代码:e0
内存密度:67108864 bit内存集成电路类型:FAST PAGE DRAM
内存宽度:4端子数量:32
字数:16777216 words字数代码:16000000
最高工作温度:70 °C最低工作温度:
组织:16MX4输出特性:3-STATE
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSOP
封装等效代码:TSOP32,.46封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE电源:5 V
认证状态:Not Qualified刷新周期:4096
自我刷新:NO最大待机电流:0.001 A
子类别:DRAMs最大压摆率:0.12 mA
标称供电电压 (Vsup):5 V表面贴装:YES
技术:CMOS温度等级:COMMERCIAL
端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式:GULL WING
端子节距:1.27 mm端子位置:DUAL
Base Number Matches:1

KM44C16100BS-5K 数据手册

 浏览型号KM44C16100BS-5K的Datasheet PDF文件第2页浏览型号KM44C16100BS-5K的Datasheet PDF文件第3页浏览型号KM44C16100BS-5K的Datasheet PDF文件第4页浏览型号KM44C16100BS-5K的Datasheet PDF文件第5页浏览型号KM44C16100BS-5K的Datasheet PDF文件第6页浏览型号KM44C16100BS-5K的Datasheet PDF文件第7页 

与KM44C16100BS-5K相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM44C16100BS-6 SAMSUNG

获取价格

Fast Page DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
KM44C16104AK-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, SOJ-32
KM44C16104BK-45 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM44C16104BK-5K SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM, 16MX4, 50ns, CMOS, PDSO32
KM44C16104BK-6D SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32
KM44C16104BK-6T SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32
KM44C16104BS-45 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM, 16MX4, 45ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
KM44C16104BS-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-32
KM44C16104CK-6 SAMSUNG

获取价格

EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
KM44C256A SAMSUNG

获取价格

256 x 4 Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode