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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | DIP, DIP20,.3 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.91 |
| 最长访问时间： | 80 ns | I/O 类型： | COMMON |
| JESD-30 代码： | R-PDIP-T20 | JESD-609代码： | e0 |
| 内存密度： | 1048576 bit | 内存集成电路类型： | FAST PAGE DRAM |
| 内存宽度： | 4 | 湿度敏感等级： | 3 |
| 端子数量： | 20 | 字数： | 262144 words |
| 字数代码： | 256000 | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX4 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | DIP | 封装等效代码： | DIP20,.3 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | IN-LINE |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 | 电源： | 5 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 刷新周期： | 512 |
| 最大待机电流： | 0.001 A | 子类别： | DRAMs |
| 最大压摆率： | 0.075 mA | 标称供电电压 (Vsup)： | 5 V |
| 表面贴装： | NO | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | THROUGH-HOLE | 端子节距： | 2.54 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KM44C256AZ-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PZIP20, ZIP-20 |
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| KM44C256AZ-12 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX4, 120ns, CMOS, PZIP20, ZIP-20 |
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| KM44C256AZ-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PZIP20, ZIP-20 |
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| KM44C256B | SAMSUNG |
获取价格 |
256 x 4 Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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| KM44C256B-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
256 x 4 Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
|
| KM44C256B-7 | SAMSUNG |
获取价格 |
256 x 4 Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
|
| KM44C256B-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
256 x 4 Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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| KM44C256BJ-10 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX4, 100ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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| KM44C256BJ-8 | SAMSUNG |
获取价格 |
Fast Page DRAM, 256KX4, 80ns, CMOS, PDSO20, PLASTIC, SOJ-26/20 |
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| KM44C256BL | SAMSUNG |
获取价格 |
256 x 4 Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode |
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