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KM44C16104BK-6T

更新时间: 2024-11-26 04:59:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
21页 864K
描述
EDO DRAM, 16MX4, 60ns, CMOS, PDSO32

KM44C16104BK-6T 技术参数

是否Rohs认证: 不符合生命周期:Obsolete
包装说明:SOJ, SOJ32,.44Reach Compliance Code:unknown
风险等级:5.92最长访问时间:60 ns
I/O 类型:COMMONJESD-30 代码:R-PDSO-J32
JESD-609代码:e0内存密度:67108864 bit
内存集成电路类型:EDO DRAM内存宽度:4
端子数量:32字数:16777216 words
字数代码:16000000最高工作温度:70 °C
最低工作温度:组织:16MX4
输出特性:3-STATE封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装代码:SOJ封装等效代码:SOJ32,.44
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
电源:5 V认证状态:Not Qualified
刷新周期:4096自我刷新:NO
最大待机电流:0.001 A子类别:DRAMs
最大压摆率:0.11 mA标称供电电压 (Vsup):5 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:COMMERCIAL端子面层:Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式:J BEND端子节距:1.27 mm
端子位置:DUALBase Number Matches:1

KM44C16104BK-6T 数据手册

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