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KM416C1200CJ-5

更新时间： 2024-02-23 07:49:57
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
34页 829K
描述
Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42

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KM416C1200CJ-5 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ42,.44
针数：42Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.89访问模式：FAST PAGE
最长访问时间：50 ns其他特性：CAS BEFORE RAS/RAS ONLY/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J42
JESD-609代码：e0长度：27.31 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：FAST PAGE DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ42,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT SPECIFIED电源：5 V
认证状态：Not Qualified刷新周期：1024
座面最大高度：3.76 mm自我刷新：NO
最大待机电流：0.001 A子类别：DRAMs
最大压摆率：0.14 mA最大供电电压 (Vsup)：5.5 V
最小供电电压 (Vsup)：4.5 V标称供电电压 (Vsup)：5 V
表面贴装：YES技术：CMOS
温度等级：COMMERCIAL端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式：J BEND端子节距：1.27 mm
端子位置：DUAL处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED
宽度：10.16 mmBase Number Matches：1

KM416C1200CJ-5 数据手册

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KM416C1000C, KM416C1200C  
KM416V1000C, KM416V1200C  
CMOS DRAM  
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Fast Page Mode  
DESCRIPTION  
This is a family of 1,048,576 x 16 bit Fast Page Mode CMOS DRAMs. Fast Page Mode offers high speed random access of memory  
cells within the same row. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (1K Ref. or 4K Ref.), access time (-5 or -6), power con-  
sumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of this family. All of this family have CAS-  
before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh operation is available in L-version. This  
1Mx16 Fast Page Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢s advanced CMOS process to realize high band-width, low power  
consumption and high reliability. It may be used as graphic memory unit for microcomputer, personal computer and portable machines.  
FEATURES  
• Part Identification  
• Fast Page Mode operation  
• 2 CAS Byte/Word Read/Write operation  
• CAS-before-RAS refresh capability  
- KM416C1000C/C-L (5V, 4K Ref.)  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
- KM416C1200C/C-L (5V, 1K Ref.)  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
- KM416V1000C/C-L (3.3V, 4K Ref.)  
- KM416V1200C/C-L (3.3V, 1K Ref.)  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• Active Power Dissipation  
Unit : mW  
5V  
• Available in 42-pin SOJ 400mil and 50(44)-pin TSOP(II)  
3.3V  
Speed  
400mil packages  
• Single +5V±10% power supply (5V product)  
4K  
1K  
4K  
495  
440  
1K  
-5  
-6  
324  
288  
504  
468  
770  
715  
• Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
• Refresh Cycles  
Part  
VCC  
Refresh  
cycle  
Refresh period  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
Vcc  
Vss  
NO.  
Control  
Clocks  
Normal  
L-ver  
VBB Generator  
C1000C  
V1000C  
C1200C  
V1200C  
5V  
3.3V  
5V  
4K  
1K  
64ms  
Lower  
128ms  
Data in  
Buffer  
DQ0  
to  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
16ms  
3.3V  
DQ7  
Lower  
Data out  
Buffer  
Memory Array  
1,048,576 x16  
Cells  
OE  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
• Perfomance Range  
A0-A11  
(A0 - A9)*1  
A0 - A7  
DQ8  
to  
DQ15  
Speed  
-5  
Remark  
tRAC  
50ns  
60ns  
tCAC  
tRC  
tPC  
Upper  
Data out  
Buffer  
15ns  
90ns  
35ns 5V/3.3V  
Column Decoder  
(A0 - A9)*1  
-6  
15ns 110ns 40ns 5V/3.3V  
Note) *1 : 1K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...34

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM416C1200CJ-L5 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, SOJ-42
KM416C1200CT-5 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44
KM416C1200CT-6 SAMSUNG

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 		Fast Page DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, TSOP2-50/44
KM416C1200CT-L5 SAMSUNG

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