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KM416C1204CJ-45

更新时间： 2023-01-02 18:48:31
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 动态存储器光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 804K
描述
EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42

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KM416C1204CJ-45 技术参数

是否Rohs认证： 不符合生命周期：Obsolete
零件包装代码：SOJ包装说明：SOJ, SOJ42,.44
针数：42Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8542.32.00.02
风险等级：5.9访问模式：FAST PAGE WITH EDO
最长访问时间：45 ns其他特性：RAS ONLY/CAS BEFORE RAS/HIDDEN REFRESH
I/O 类型：COMMONJESD-30 代码：R-PDSO-J42
JESD-609代码：e0长度：27.31 mm
内存密度：16777216 bit内存集成电路类型：EDO DRAM
内存宽度：16功能数量：1
端口数量：1端子数量：42
字数：1048576 words字数代码：1000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：1MX16
输出特性：3-STATE封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装代码：SOJ封装等效代码：SOJ42,.44
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
电源：5 V认证状态：Not Qualified
刷新周期：1024座面最大高度：3.76 mm
自我刷新：NO最大待机电流：0.001 A
子类别：DRAMs最大压摆率：0.15 mA
最大供电电压 (Vsup)：5.5 V最小供电电压 (Vsup)：4.5 V
标称供电电压 (Vsup)：5 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Tin/Lead (Sn/Pb)端子形式：J BEND
端子节距：1.27 mm端子位置：DUAL
宽度：10.16 mm

KM416C1204CJ-45 数据手册

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KM416C1004C, KM416C1204C  
KM416V1004C, KM416V1204C  
CMOS DRAM  
1M x 16Bit CMOS Dynamic RAM with Extended Data Out  
DESCRIPTION  
This is a family of 1,048,576 x 16 bit Extended Data Out CMOS DRAMs. Extended Data Out Mode offers high speed random access of  
memory cells within the same row, so called Hyper Page Mode. Power supply voltage (+5.0V or +3.3V), refresh cycle (1K Ref. or 4K  
Ref.), access time (-45, -5 or -6), power consumption(Normal or Low power) and package type(SOJ or TSOP-II) are optional features of  
this family. All of this family have CAS-before-RAS refresh, RAS-only refresh and Hidden refresh capabilities. Furthermore, Self-refresh  
operation is available in L-version. This 1Mx16 EDO Mode DRAM family is fabricated using Samsung¢ s advanced CMOS process to  
realize high band-width, low power consumption and high reliability. It may be used as graphic memory unit for microcomputer, personal  
computer and portable machines.  
FEATURES  
• Part Identification  
• Extended Data Out Mode operation  
(Fast Page Mode with Extended Data Out)  
• 2 CAS Byte/Word Read/Write operation  
- KM416C1004C/C-L (5V, 4K Ref.)  
• CAS-before-RAS refresh capability  
- KM416C1204C/C-L (5V, 1K Ref.)  
• RAS-only and Hidden refresh capability  
• Self-refresh capability (L-ver only)  
- KM416V1004C/C-L (3.3V, 4K Ref.)  
- KM416V1204C/C-L (3.3V, 1K Ref.)  
• TTL(5V)/LVTTL(3.3V) compatible inputs and outputs  
• Early Write or output enable controlled write  
• JEDEC Standard pinout  
• ActivePowerDissipation  
Unit : mW  
5V  
3.3V  
Speed  
• Available in plastic SOJ 400mil and TSOP(II) packages  
• Single +5V±10% power supply (5V product)  
4K  
-
1K  
-
4K  
1K  
-45  
-5  
550  
495  
440  
825  
770  
715  
•
Single +3.3V±0.3V power supply (3.3V product)  
324  
288  
504  
468  
-6  
FUNCTIONAL BLOCK DIAGRAM  
• Refresh Cycles  
Part  
VCC  
Refresh  
cycle  
Refresh period  
RAS  
UCAS  
LCAS  
W
Vcc  
Vss  
NO.  
Control  
Clocks  
Normal  
L-ver  
VBB Generator  
C1004C  
V1004C  
C1204C  
V1204C  
5V  
3.3V  
5V  
4K  
1K  
64ms  
Lower  
Data in  
Buffer  
128ms  
DQ0  
to  
Row Decoder  
Refresh Timer  
Refresh Control  
16ms  
DQ7  
3.3V  
Lower  
Data out  
Buffer  
Memory Array  
1,048,576 x16  
Cells  
OE  
Refresh Counter  
Row Address Buffer  
Col. Address Buffer  
Upper  
Data in  
Buffer  
• Performance Range  
DQ8  
to  
DQ15  
Speed  
-45  
-5  
Remark  
tRAC  
45ns  
50ns  
60ns  
tCAC  
13ns  
15ns  
tRC  
tHPC  
A0-A11  
(A0 - A9)*1  
A0 - A7  
(A0 - A9)*1  
Upper  
Data out  
Buffer  
69ns  
84ns  
16ns 5V/3.3V  
20ns 5V/3.3V  
Column Decoder  
-6  
17ns 104ns 25ns 5V/3.3V  
Note) *1 : 1K Refresh  
SAMSUNG ELECTRONICS CO., LTD. reserves the right to  
change products and specifications without notice.  
1234567...35

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KM416C1204CJ-5 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 1MX16, 50ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
KM416C1204CJ-6 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 1MX16, 60ns, CMOS, PDSO42, 0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-42
KM416C1204CJ-L45 SAMSUNG

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 		EDO DRAM, 1MX16, 45ns, CMOS, PDSO44, 0.400 INCH, PLASTIC, TSOP2-50/44
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