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KFM1G16Q2A-DEB80

更新时间： 2024-10-30 19:55:27

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		内存集成电路
页数	文件大小	规格书
148页	5952K
描述
Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 10 X 13 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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KFM1G16Q2A-DEB80 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
零件包装代码：	BGA	包装说明：	VFBGA, BGA63,10X12,32
针数：	63	Reach Compliance Code：	compliant
ECCN代码：	3A991.B.1.A	HTS代码：	8542.32.00.51
风险等级：	5.84	最长访问时间：	76 ns
其他特性：	SYNCHRONOUS BURST MODE OPERATION ALSO POSSIBLE	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PBGA-B63
JESD-609代码：	e1	长度：	13 mm
内存密度：	1073741824 bit	内存集成电路类型：	FLASH
内存宽度：	16	湿度敏感等级：	3
功能数量：	1	部门数/规模：	1K
端子数量：	63	字数：	67108864 words
字数代码：	64000000	工作模式：	ASYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-30 °C
组织：	64MX16	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装代码：	VFBGA	封装等效代码：	BGA63,10X12,32
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH
页面大小：	1K words	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	260	电源：	1.8 V
编程电压：	1.8 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	座面最大高度：	1 mm
部门规模：	64K	最大待机电流：	0.00005 A
子类别：	Flash Memories	最大压摆率：	0.045 mA
最大供电电压 (Vsup)：	1.95 V	最小供电电压 (Vsup)：	1.7 V
标称供电电压 (Vsup)：	1.8 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	OTHER
端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)	端子形式：	BALL
端子节距：	0.8 mm	端子位置：	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间：	40	切换位：	YES
类型：	SLC NAND TYPE	宽度：	10 mm
Base Number Matches：	1

KFM1G16Q2A-DEB80 数据手册

MuxOneNAND1G(KFM1G16Q2A-DEBx)

MuxOneNAND2G(KFN2G16Q2A-DEBx)

FLASH MEMORY

KFM1G16Q2A

KFN2G16Q2A

1Gb MuxOneNAND A-die

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MuxOneNAND¥‚ is a trademark of Samsung Electronics Company, Ltd. Other names and brands may be

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KFM1G16Q2C-DEB80	SAMSUNG	获取价格	Flash, 64MX16, 76ns, PBGA63, 13 X 10 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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