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| 是否Rohs认证： | 符合 | 生命周期： | Active |
| 包装说明： | FBGA, BGA63,10X12,32 | Reach Compliance Code： | compliant |
| 风险等级： | 5.68 | Is Samacsys： | N |
| 最长访问时间： | 14.5 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PBGA-B63 |
| 内存密度： | 536870912 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 16 | 部门数/规模： | 512 |
| 端子数量： | 63 | 字数： | 33554432 words |
| 字数代码： | 32000000 | 最高工作温度： | 85 °C |
| 最低工作温度： | -40 °C | 组织： | 32MX16 |
| 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY | 封装代码： | FBGA |
| 封装等效代码： | BGA63,10X12,32 | 封装形状： | RECTANGULAR |
| 封装形式： | GRID ARRAY, FINE PITCH | 页面大小： | 1K words |
| 并行/串行： | PARALLEL | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 64K | 最大待机电流： | 0.00008 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.04 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | INDUSTRIAL |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 0.8 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 切换位： | NO |
| 类型： | NAND TYPE | Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| KFG1216U2A-DIB6 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2A-DIB60 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
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| KFG1216U2A-DID5 | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2A-DID50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, FBGA-63 |
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| KFG1216U2A-DID6 | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2A-FEB5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2A-FEB50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
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| KFG1216U2A-FEB6 | SAMSUNG |
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FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2A-FED5 | SAMSUNG |
获取价格 |
FLASH MEMORY |
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| KFG1216U2A-FED50 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX16, 76ns, PBGA63, 9.50 X 12 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63 |
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