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KF4N20LI

更新时间： 2024-10-01 12:20:23
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KEC /
页数 文件大小 规格书
6页 601K
描述
N CHANNEL MOS FIELD EFFECT TRANSISTOR

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KF4N20LI 技术参数

生命周期：Not Recommended包装说明：IN-LINE, R-PSIP-T3
针数：3Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99风险等级：5.67
雪崩能效等级（Eas）：52 mJ配置：SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压：200 V最大漏极电流 (Abs) (ID)：3.6 A
最大漏极电流 (ID)：3.6 A最大漏源导通电阻：1.1 Ω
FET 技术：METAL-OXIDE SEMICONDUCTORJESD-30 代码：R-PSIP-T3
元件数量：1端子数量：3
工作模式：ENHANCEMENT MODE最高工作温度：150 °C
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装形状：RECTANGULAR
封装形式：IN-LINE极性/信道类型：N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)：31 W最大脉冲漏极电流 (IDM)：7 A
认证状态：Not Qualified子类别：FET General Purpose Power
表面贴装：NO端子形式：THROUGH-HOLE
端子位置：SINGLE晶体管应用：SWITCHING
晶体管元件材料：SILICONBase Number Matches：1

KF4N20LI 数据手册

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KF4N20LD/I  
SEMICONDUCTOR  
N CHANNEL MOS FIELD  
EFFECT TRANSISTOR  
TECHNICAL DATA  
General Description  
KF4N20LD  
This planar stripe MOSFET has better characteristics, such as fast  
switching time, low on resistance, low gate charge and excellent  
avalanche characteristics. It is mainly suitable for LED Lighting and  
switching mode power supplies.  
A
C
K
DIM MILLIMETERS  
L
D
B
_
6.60 + 0.20  
A
B
C
D
E
_
6.10+0.20  
_
5.34 + 0.30  
_
0.70+0.20  
_
2.70 + 0.15  
_
2.30+0.10  
F
FEATURES  
0.96 MAX  
0.90 MAX  
G
H
J
· VDSS(Min.)= 200V, ID= 3.6A  
H
J
_
1.80+0.20  
E
· Drain-Source ON Resistance : RDS(ON)=1.05 Ω (max) @VGS =10V  
· Qg(typ.) =2.9nC  
_
2.30+0.10  
K
L
G
N
_
0.50 + 0.10  
_
0.50+0.10  
F
F
M
M
N
0.70 MIN  
· Vth(Max.)= 2V  
1. ANODE  
1
2
3
MAXIMUM RATING (Tc=25℃)  
2. CATHODE  
3. ANODE  
CHARACTERISTIC  
Drain-Source Voltage  
Gate-Source Voltage  
@TC=25℃  
SYMBOL  
VDSS  
RATING  
200  
UNIT  
V
VGSS  
V
±20  
3.6  
DPAK (1)  
ID  
Drain Current  
@TC=100℃  
2.2  
A
IDP  
Pulsed (Note1)  
7*  
Single Pulsed Avalanche Energy  
(Note 2)  
Repetitive Avalanche Energy  
(Note 1)  
EAS  
52  
3
mJ  
mJ  
KF4N20LI  
EAR  
A
C
H
J
Peak Diode Recovery dv/dt  
(Note 3)  
dv/dt  
5.5  
V/ns  
TC=25℃  
31  
0.25  
W
W/℃  
℃
DIM MILLIMETERS  
Drain Power  
Dissipation  
PD  
_
6.6 0.2  
+
A
B
C
D
E
F
Derate above25℃  
_
6.1 0.2  
+
M
_
5.34 0.3  
+
P
Tj  
Maximum Junction Temperature  
Storage Temperature Range  
150  
_
0.7 0.2  
+
N
_
9.3 0.3  
+
Tstg  
-55∼ 150  
℃
_
2.3 0.2  
+
_
0.76 0.1  
+
G
H
J
Thermal Characteristics  
G
_
2.3 0.1  
+
_
L
0.5 0.1  
+
F
F
RthJC  
RthJA  
Thermal Resistance, Junction-to-Case  
4.0  
℃/W  
℃/W  
_
1.8 0.2  
+
K
L
M
N
P
_
+
0.5  
0.1  
Thermal Resistance, Junction-to-  
Ambient  
110  
_
1.0 0.1  
+
0.96 MAX  
_
1
2
3
1.02 0.3  
+
* : Drain current limited by maximum junction temperature.  
1. ANODE  
2. CATHODE  
3. ANODE  
PIN CONNECTION  
IPAK(1)  
2010. 8. 20  
Revision No : 0  
1/6  
123456

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