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KDZ33B

更新时间: 2024-11-21 04:21:59
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罗姆 - ROHM 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
5页 132K
描述
Zener diode

KDZ33B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-F2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.68配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:18 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-F2
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:33 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)端子形式:FLAT
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:5.71%工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1

KDZ33B 数据手册

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KDZ3.6B  
Diodes  
Zener diode  
KDZ3.6B  
zApplications  
zDimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
0.1±0.1  
ꢀꢀꢀ 0.05  
1.6±0.1  
1.2  
zFeatures  
1) Small power mold type. (PMDU)  
2) High ESD tolerance  
PMDU  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
0.9±0.1  
0.8±0.1  
ROHM : PMDU  
JEDEC :SOD-123  
Manufacture Date  
EX. KDZ10B  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
0.25±0.05  
φ1.55±0.05  
2.0±0.05  
4.0±0.1  
4.0±0.1  
φ1.0±0.1  
1.81±0.1  
1.5MAX  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Junction temperature  
Storage temperature  
Limits  
Symbol  
P
Unit  
1000  
150  
-55 to +150  
mW  
Tj  
Tstg  
Rev.B  
1/4  

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