KDZ4.3B

更新时间： 2024-09-16 04:21:59

品牌	Logo	应用领域
罗姆 - ROHM		稳压二极管齐纳二极管测试光电二极管
页数	文件大小	规格书
5页	132K
描述
Zener diode

阅读下载

中文翻译

获取价格

技术参数
数据手册

如果您发现信息不准确，欢迎纠错

KDZ4.3B 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Not Recommended	包装说明：	R-PDSO-F2
针数：	2	Reach Compliance Code：	not_compliant
ECCN代码：	EAR99	HTS代码：	8541.10.00.50
风险等级：	5.67	Is Samacsys：	N
配置：	SINGLE	二极管元件材料：	SILICON
二极管类型：	ZENER DIODE	最大动态阻抗：	15 Ω
JESD-30 代码：	R-PDSO-F2	JESD-609代码：	e1
湿度敏感等级：	1	元件数量：	1
端子数量：	2	最高工作温度：	150 °C
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE	峰值回流温度（摄氏度）：	260
极性：	UNIDIRECTIONAL	最大功率耗散：	1 W
认证状态：	Not Qualified	标称参考电压：	4.3 V
子类别：	Voltage Reference Diodes	表面贴装：	YES
技术：	ZENER	端子面层：	Tin/Silver/Copper (Sn/Ag/Cu)
端子形式：	FLAT	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	10	最大电压容差：	5.49%
工作测试电流：	40 mA	Base Number Matches：	1

KDZ4.3B 数据手册

KDZ3.6B

Diodes

Zener diode

KDZ3.6B

zApplications

zDimensions (Unit : mm)

zLand size figure (Unit : mm)

Voltage regulation

0.1±0.1

ꢀꢀꢀ 0.05

1.6±0.1

1.2

zFeatures

1) Small power mold type. (PMDU)

2) High ESD tolerance

PMDU

zConstruction

Silicon epitaxial planar

zStructure

ꢀ

0.9±0.1

0.8±0.1

ROHM : PMDU

JEDEC :SOD-123

Manufacture Date

EX. KDZ10B

zTaping dimensions (Unit : mm)

0.25±0.05

φ1.55±0.05

2.0±0.05

4.0±0.1

φ1.0±0.1

1.81±0.1

1.5MAX

zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)

Parameter

Power dissipation

Junction temperature

Storage temperature

Limits

Symbol

Unit

1000

150

-55 to +150

℃

Tstg

℃

Rev.B

1/4

12 3 4 5

中文翻译

下载PDF

与KDZ4.3B相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KDZ4.3B_08	ROHM	获取价格	Zener diode
KDZ4.3B_1	ROHM	获取价格	Zener diode
KDZ4.3EV	KEC	获取价格	ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE(CONSTANT VOLTAGE REGULATION, REFERENCE VOLTAGE)
KDZ4.3FV	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDZ4.3V	KEC	获取价格	ZENER DIODE SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDZ4.3V_08	KEC	获取价格	USC PACKAGE
KDZ4.3VV	KEC	获取价格	SILICON EPITAXIAL PLANAR DIODE
KDZ4.3WV	KEC	获取价格	SOD-123
KDZ4.7B	DIODES	获取价格	Zener diode
KDZ4.7B	ROHM	获取价格	Zener diode