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PTZ33B

更新时间: 2024-11-14 22:44:15
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罗姆 - ROHM 稳压二极管
页数 文件大小 规格书
5页 228K
描述
Zener diode

PTZ33B 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Not Recommended包装说明:R-PDSO-C2
针数:2Reach Compliance Code:not_compliant
ECCN代码:EAR99HTS代码:8541.10.00.50
风险等级:5.72配置:SINGLE
二极管元件材料:SILICON二极管类型:ZENER DIODE
最大动态阻抗:18 ΩJESD-30 代码:R-PDSO-C2
JESD-609代码:e1湿度敏感等级:1
元件数量:1端子数量:2
最高工作温度:150 °C封装主体材料:PLASTIC/EPOXY
封装形状:RECTANGULAR封装形式:SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度):260极性:UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散:1 W认证状态:Not Qualified
标称参考电压:33 V子类别:Voltage Reference Diodes
表面贴装:YES技术:ZENER
端子面层:Tin/Silver/Copper (Sn96.5Ag3.0Cu0.5)端子形式:C BEND
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:10
最大电压容差:5.71%工作测试电流:10 mA
Base Number Matches:1

PTZ33B 数据手册

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PTZ7.5B  
Diodes  
Zener diode  
PTZ7.5B  
zApplications  
zExternal dimensions (Unit : mm)  
zLand size figure (Unit : mm)  
Voltage regulation  
2.6±0.2  
2.0  
0.1±0.02  
ꢀꢀꢀ 0.1  
5
4
zFeatures  
1) Small power mold type. (PMDS)  
2) High ESD tolerance  
0.2±0.01  
1.03  
0.25  
0.5  
1.5±0.2  
2.6±0.03  
2.0±0.2  
PMDS  
zConstruction  
Silicon epitaxial planar  
zStructure  
ROHM : PMDS  
JEDEC : SOD-106  
Manufacture Date  
zTaping dimensions (Unit : mm)  
2.0±0.05  
φ1.55±0.1  
ꢀꢀꢀꢀꢀ  
8.0±0.1  
4.0±0.1  
0.3±0.1  
0
φ1.55±0.05  
2.9±0.1  
8.0±0.1  
2.4±0.1  
zAbsolute maximum ratings (Ta=25°C)  
Parameter  
Power dissipation  
Limits  
Symbol  
Unit  
mW  
1000  
150  
P
Tj  
Junction temperature  
Storage temperature  
-55 to +150  
Tstg  
Rev.B  
1/4  

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