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KBU808

更新时间： 2024-01-30 10:10:11

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DIOTECH		二极管
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2页	727K
描述
SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

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KBU808 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Obsolete
包装说明：	R-PSFM-T4	针数：	4
Reach Compliance Code：	compliant	HTS代码：	8541.10.00.80
风险等级：	5.69	其他特性：	UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY
最小击穿电压：	800 V	配置：	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：	SILICON	二极管类型：	BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：	R-PSFM-T4	湿度敏感等级：	2
最大非重复峰值正向电流：	300 A	元件数量：	4
相数：	1	端子数量：	4
最高工作温度：	150 °C	最低工作温度：	-65 °C
最大输出电流：	8 A	封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY
封装形状：	RECTANGULAR	封装形式：	FLANGE MOUNT
峰值回流温度（摄氏度）：	260	最大重复峰值反向电压：	800 V
表面贴装：	NO	端子形式：	THROUGH-HOLE
端子位置：	SINGLE	处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED
Base Number Matches：	1

KBU808 数据手册

KBU8005 THRU KBU810

SINGLE PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER

Reverse Voltage - 50 to 1000 Volts

Forward Current - 8.0 Ampere

FEATURES

KBU

.15 X23L

●

Ideal for printed circuit board

Surge overload rating: 300A peak

High case dielectric strength

High temperature soldering guaranteed:

260°C/10 seconds at 5lbs. (2.3kg) tension

.157(4.0)*45°

(3.8 X5.7L)

HOLE THRU

.935(23.7)

.895(22.7)

●

300

(7.5)

.700(17.8)

.600(16.8)

.780(19.8)

.740(18.8)

1.00

(25.4)

MECHANICAL DATA

MIN.

●

Case: UL-94 Class V-0 recognized Flame Retardant Epoxy

.052(1.3)DIA.

.048(1.2)TYP.

●

Terminals

Plated leads solderable per

MIL-STD 202, method 208

.087(2.2)

.071(1.8)

.220(5.6)

.180(4.6)

●

Mounting Position: Any

Marking: Type Number

.276(7.0)

.256(6.5)

Dimensions in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25 C ambient temperature unless otherwise specified.

Single phase half-wave 60Hz,resistive or inductive load,for capacitive load current derate by 20%.

KBU

8005

KBU

801

KBU

802

KBU

804

KBU

806

KBU

808

KBU

810

Characteristic

Symbol

Unit

Peak Repetitive Reverse Voltage

Working Peak Reverse Voltage

DC Blocking Voltage

V^RRM

RWM

100

200

140

400

600

420

800

560

1000

700

RMS Reverse Voltage

V^R(RMS)

I^O

280

8.0

Average Rectified Output Current

@T_C= 100°C

Non-Repetitive Peak Forward Surge Current

8.3ms Single half sine-wave superimposed on

rated load (JEDEC Method)

FSM

300

1.0

Forward Voltage (per element)

@I_F= 4.0A

V^FM

I^R

Peak Reverse Current

At Rated DC Blocking Voltage

@T_C= 25°C

@T_C= 100°C

1.0

µA

Rating for Fusing (t < 8.3ms) (Note 1)

Typical Thermal Resistance (Note 2)

I²^t

373

7.5

²s

K/W

°C

Operating and Storage Temperature Range

T^j,T^STG

-65 to +150

Note: 1. Non-repetitive for t > 1ms and < 8.3ms.

2. Thermal resistance junction to case per element mounted on PC board with 13.0x13.0x0.03mm thick land areas.

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与KBU808相关器件

型号	品牌	获取价格	描述	数据表
KBU808G	SECOS	获取价格	Voltage 50V ~ 1000V 8.0Amp Glass Passivited Bridge Rectifiers
KBU808G	GOOD-ARK	获取价格	SINGLE PHASE 8.0 AMPS. GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBU808G	WTE	获取价格	8.0A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER
KBU808G	HY	获取价格	GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS
KBU808G	WON-TOP	获取价格	Single In-Line
KBU808-G	COMCHIP	获取价格	Silicon Bridge Rectifiers
KBU808G-G	COMCHIP	获取价格	Glass Passivated Bridge Rectifier
KBU808G-LF	WTE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU, 4
KBU808-LF	WTE	获取价格	Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU, 4
KBU810	GOOD-ARK	获取价格	SINGLE PHASE 8.0 AMPS. SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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