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KBU810

更新时间: 2024-11-05 22:47:39
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富士电机 - FUJI /
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1页 645K
描述
8 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER

KBU810 技术参数

生命周期:Obsolete包装说明:R-PSIP-W4
Reach Compliance Code:unknownHTS代码:8541.10.00.80
风险等级:5.8配置:BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料:SILICON二极管类型:BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF):1 VJESD-30 代码:R-PSIP-W4
最大非重复峰值正向电流:300 A元件数量:4
相数:1端子数量:4
最高工作温度:125 °C最大输出电流:8 A
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装形状:RECTANGULAR
封装形式:IN-LINE认证状态:Not Qualified
最大重复峰值反向电压:1000 V子类别:Bridge Rectifier Diodes
表面贴装:NO端子形式:WIRE
端子位置:SINGLE

KBU810 数据手册

  

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