是否无铅: | 含铅 | 是否Rohs认证: | 不符合 |
生命周期: | Active | 包装说明: | R-PSFM-T4 |
针数: | 4 | Reach Compliance Code: | compliant |
HTS代码: | 8541.10.00.80 | 风险等级: | 5.75 |
Is Samacsys: | N | 其他特性: | UL RECOGNIZED, HIGH RELIABILITY |
最小击穿电压: | 800 V | 配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1.1 V | JESD-30 代码: | R-PSFM-T4 |
JESD-609代码: | e0 | 最大非重复峰值正向电流: | 300 A |
元件数量: | 4 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -65 °C | 最大输出电流: | 8 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | FLANGE MOUNT | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
最大重复峰值反向电压: | 800 V | 子类别: | Bridge Rectifier Diodes |
表面贴装: | NO | 端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式: | THROUGH-HOLE | 端子位置: | SINGLE |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
KBU808-G | COMCHIP |
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Silicon Bridge Rectifiers | |
KBU808G-G | COMCHIP |
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Glass Passivated Bridge Rectifier | |
KBU808G-LF | WTE |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU, 4 | |
KBU808-LF | WTE |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 800V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBU, 4 | |
KBU810 | GOOD-ARK |
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SINGLE PHASE 8.0 AMPS. SILICON BRIDGE RECTIFIERS | |
KBU810 | FUJI |
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8 AMP SILICON BRIDGE RECTIFIER | |
KBU810 | WTE |
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8.0A BRIDGE RECTIFIER | |
KBU810 | SENSITRON |
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Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 8A, 1000V V(RRM), Silicon, PLASTIC, KBU, 4 PIN | |
KBU810 | FCI |
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8.0 Amp SINGLE PHASE SILICON BRIDGE | |
KBU810 | HY |
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SILICON BRIDGE RECTIFIERS |