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KBP01M1-E4 PDF预览

KBP01M1-E4

更新时间： 2024-11-18 14:51:51
品牌 Logo 应用领域
威世 - VISHAY 二极管
页数 文件大小 规格书
2页 32K
描述
DIODE 1.5 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, PLASTIC, KBPM, 4 PIN, Bridge Rectifier Diode

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KBP01M1-E4 技术参数

是否无铅：不含铅是否Rohs认证：符合
生命周期：Obsolete包装说明：R-PSIP-W4
针数：4Reach Compliance Code：unknown
ECCN代码：EAR99HTS代码：8541.10.00.80
风险等级：5.71Is Samacsys：N
其他特性：UL RECOGNIZED配置：BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料：SILICON二极管类型：BRIDGE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码：R-PSIP-W4JESD-609代码：e4
最大非重复峰值正向电流：50 A元件数量：4
相数：1端子数量：4
最高工作温度：150 °C最低工作温度：-55 °C
最大输出电流：1.5 A封装主体材料：PLASTIC/EPOXY
封装形状：RECTANGULAR封装形式：IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）：NOT APPLICABLE认证状态：Not Qualified
最大重复峰值反向电压：100 V表面贴装：NO
端子面层：SILVER端子形式：WIRE
端子位置：SINGLE处于峰值回流温度下的最长时间：NOT APPLICABLE
Base Number Matches：1

KBP01M1-E4 数据手册

 浏览型号KBP01M1-E4的Datasheet PDF文件第2页 
KBP005M thru KBP10M, 3N246 thru 3N252  
Vishay Semiconductors  
Glass Passivated Single-Phase  
Bridge Rectifiers  
Rev. Voltage 50 to 1000V  
Forward Current 1.5A  
Case Style KBPM  
Features  
• Plastic package has Underwriters Laboratory  
Flammability Classification 94V-0  
0.600 (15.24)  
0.560 (14.22)  
0.125 x 45o  
(3.2)  
• This series is UL listed under Recognized Component  
Index, file number E54214  
• Glass passivated chip junctions  
• High surge current capability  
0.460 (11.68)  
0.420 (10.67)  
0.500 (12.70)  
0.460 (11.68)  
Dimensions in inches  
and (millimeters)  
• Ideal for printed circuit boards  
• High temperature soldering guaranteed:  
260°C/10 seconds at 5 lbs. (2.3kg) tension  
60  
(15.2)  
0.50 (12.7) Min.  
MIN.  
Mechanical Data  
0.060  
(1.52)  
0.034 (0.86)  
0.028 (0.76)  
DIA.  
Case: Molded plastic body over passivated junctions  
Terminals: Plated leads solderable per MIL-STD-750,  
Method 2026  
Polarity: Polarity symbols marked on case  
Mounting Position: Any  
0.160 (4.1)  
0.140 (3.6)  
0.105 (2.67)  
0.085 (2.16)  
0.200 (5.08)  
0.180 (4.57)  
Weight: 0.06 ounce, 1.7 grams  
Packaging codes/options:  
Polarity shown on front side of case: positive lead by beveled corner  
1/600 EA. per Bulk Tray Stack  
Maximum Ratings & Thermal Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
KBP KBP KBP KBP KBP KBP KBP  
005M 01M 02M 04M 06M 08M 10M  
Parameter  
Symb.  
Unit  
3N246 3N247 3N248 3N249 3N250 3N251 3N252  
* Maximum repetitive peak reverse voltage  
* Maximum RMS voltage  
VRRM  
VRMS  
VDC  
50  
35  
50  
100  
70  
200  
140  
200  
400  
280  
400  
1.5  
600  
420  
600  
800 1000  
560 700  
800 1000  
V
V
V
A
* Maximum DC blocking voltage  
100  
Max. average forward output rectified current at TA = 40°C IF(AV)  
* Peak forward surge current single half sine-wave  
IFSM  
50  
30  
A
superimposed on rated load (JEDEC Method) TJ =150°C  
Rating for fusing (t < 8.3ms)  
I2t  
10  
A2sec  
°C/W  
°C  
Typical thermal resistance per leg(1)  
RθJA  
RθJL  
40  
13  
* Operating junction and storage temperature range  
TJ, TSTG  
–55 to +150  
Electrical Characteristics Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.  
* Max. instantaneous at  
forward voltage drop at  
1.0A per leg  
1.57A per leg  
1.0  
1.3  
VF  
V
* Maximum DC reverse current  
at rated DC blocking voltage per leg  
TA = 25°C  
TA = 125°C  
5.0  
500  
IR  
µA  
Typical junction capacitance per leg at 4.0V, 1MHz  
CJ  
15  
pF  
Note: (1) Thermal resistance from junction to ambient and from junction to lead mounted on P.C.B. with, 0.47 x 0.47" (12 x12mm) copper pads  
* JEDEC registered values  
Document Number 88531  
18-Jan-02  
www.vishay.com  
1
12

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与KBP01M1-E4相关器件

型号 品牌 获取价格 描述 数据表
KBP01M-E4 VISHAY

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 		DIODE 1.5 A, 100 V, SILICON, BRIDGE RECTIFIER DIODE, LEAD FREE, PLASTIC, CASE KBPM, 4 PIN,
KBP01M-LF WTE

获取价格

 		Bridge Rectifier Diode, 1 Phase, 1.5A, 100V V(RRM), Silicon, ROHS COMPLIANT, PLASTIC, KBPM
KBP01RS202 SHUNYE

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 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS
KBP01-RS202 PINGWEI

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 		SINGLE-PHASE SILICON BRIDGE RECTIFIER
KBP02 GOOD-ARK

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 		SILICON BRIDGE RECTIFIERS

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