生命周期: | Active | 包装说明: | R-PSIP-W4 |
Reach Compliance Code: | compliant | ECCN代码: | EAR99 |
风险等级: | 5.14 | Is Samacsys: | N |
最小击穿电压: | 200 V | 配置: | BRIDGE, 4 ELEMENTS |
二极管元件材料: | SILICON | 二极管类型: | BRIDGE RECTIFIER DIODE |
最大正向电压 (VF): | 1 V | JESD-30 代码: | R-PSIP-W4 |
JESD-609代码: | e4 | 最大非重复峰值正向电流: | 50 A |
元件数量: | 4 | 相数: | 1 |
端子数量: | 4 | 最高工作温度: | 150 °C |
最低工作温度: | -55 °C | 最大输出电流: | 1.5 A |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装形状: | RECTANGULAR |
封装形式: | IN-LINE | 最大重复峰值反向电压: | 200 V |
子类别: | Bridge Rectifier Diodes | 表面贴装: | NO |
端子面层: | SILVER | 端子形式: | WIRE |
端子位置: | SINGLE | Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 描述 | 获取价格 | 数据表 |
KBP02-7 | NJSEMI | Diode Rectifier Bridge Single 200V 1.5A 4-Pin Case KBP |
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KBP02G | GULFSEMI | SINGLE PHASE GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER Voltage: 50 to 1000V Current:1.5A |
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KBP02G | HY | GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIERS |
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KBP02G | FUJI | 1.5 AMP GLASS PASSIVATED SILICON BRIDGE RECTIFIER |
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KBP02G | DIODES | 1.5A GLASS PASSIVATED BRIDGE RECTIFIER |
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KBP02G | NJSEMI | Diode Rectifier Bridge Single 200V 1.5A 4-Pin Case KBP |
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