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K9F5608U0C-PIB0

更新时间: 2024-02-11 23:22:40
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三星 - SAMSUNG 闪存
页数 文件大小 规格书
39页 654K
描述
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata

K9F5608U0C-PIB0 技术参数

是否无铅: 不含铅是否Rohs认证: 符合
生命周期:Obsolete包装说明:TSSOP, TSSOP48,.8,20
Reach Compliance Code:compliant风险等级:5.74
最长访问时间:30 ns命令用户界面:YES
数据轮询:NOJESD-30 代码:R-PDSO-G48
JESD-609代码:e3内存密度:268435456 bit
内存集成电路类型:FLASH内存宽度:8
湿度敏感等级:1部门数/规模:2K
端子数量:48字数:33554432 words
字数代码:32000000最高工作温度:85 °C
最低工作温度:-40 °C组织:32MX8
封装主体材料:PLASTIC/EPOXY封装代码:TSSOP
封装等效代码:TSSOP48,.8,20封装形状:RECTANGULAR
封装形式:SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小:512 words
并行/串行:PARALLEL峰值回流温度(摄氏度):225
电源:3.3 V认证状态:Not Qualified
就绪/忙碌:YES部门规模:16K
最大待机电流:0.00005 A子类别:Flash Memories
最大压摆率:0.02 mA标称供电电压 (Vsup):3.3 V
表面贴装:YES技术:CMOS
温度等级:INDUSTRIAL端子面层:MATTE TIN
端子形式:GULL WING端子节距:0.5 mm
端子位置:DUAL处于峰值回流温度下的最长时间:NOT SPECIFIED
切换位:NO类型:NAND TYPE
Base Number Matches:1

K9F5608U0C-PIB0 数据手册

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San 16 Banwol-Ri  
Taean-Eup Hwasung- City  
Kyungki Do, Korea  
Tel.) 82 - 31 - 208 - 6463  
Fax.) 82 - 31 -208 - 6799  
ELECTRONICS  
March. 2003  
512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata  
Description : Some of AC characteristics are not meeting the specification.  
> AC characteristics : Refer to Table  
Affected Products : K9F1208Q0A-XXB0, K9F1216Q0A-XXB0  
K9F5608Q0C-XXB0, K9F5616Q0C-XXB0  
K9K1208Q0C-XXB0, K9K1216Q0C-XXB0  
Improvement schedule : The components without this restriction will  
be available from work week 23 or after.  
Workaround : Relax the relevant timing parameters according to the table.  
Table  
UNIT : ns  
Parameters  
Specification  
tWC  
45  
tWH  
15  
tWP  
25  
tRC  
50  
tREH  
15  
tRP  
25  
tREA tCEA  
30  
60  
45  
75  
Relaxed Condition  
80  
20  
60  
80  
20  
60  
Sincerely,  
chwoosun@sec.samsung.com  
Product Planning & Application Eng.  
Memory Division  
Samsung Electronics Co.  
1

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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
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K9F5608U0C-PIB0T SAMSUNG

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