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K9F5608U0D-FCB0

更新时间： 2024-01-28 00:31:00

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		闪存存储内存集成电路光电二极管
页数	文件大小	规格书
35页	861K
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory

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K9F5608U0D-FCB0 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	TSSOP, TSSOP48,.71,20
Reach Compliance Code：	compliant	风险等级：	5.84
最长访问时间：	30 ns	命令用户界面：	YES
数据轮询：	NO	JESD-30 代码：	R-PDSO-G48
JESD-609代码：	e3	内存密度：	268435456 bit
内存集成电路类型：	FLASH	内存宽度：	8
湿度敏感等级：	1	部门数/规模：	2K
端子数量：	48	字数：	33554432 words
字数代码：	32000000	最高工作温度：	70 °C
最低工作温度：		组织：	32MX8
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	TSSOP
封装等效代码：	TSSOP48,.71,20	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	页面大小：	512 words
并行/串行：	PARALLEL	峰值回流温度（摄氏度）：	225
电源：	3/3.3 V	认证状态：	Not Qualified
就绪/忙碌：	YES	部门规模：	16K
最大待机电流：	0.00005 A	子类别：	Flash Memories
最大压摆率：	0.025 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子面层：	Matte Tin (Sn)	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.5 mm	端子位置：	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	切换位：	NO

K9F5608U0D-FCB0 数据手册

K9F5608R0D

K9F5608U0D

FLASH MEMORY

K9F5608D0D

K9F5608X0D

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
K9F5608U0D-FCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
K9F5608U0DFCB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 17 X 12 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP-48
K9F5608U0D-FCB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48
K9F5608U0D-FIB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-FIB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
K9F5608U0DFIB000	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 17 X 12 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP-48
K9F5608U0D-FIB0T	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48
K9F5608U0D-J	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-JCB0	SAMSUNG	获取价格	32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-JCB00	SAMSUNG	获取价格	Flash, 32MX8, 30ns, PBGA63, 9 X 11 MM, 1 MM HEIGHT, 0.80 MM PITCH, LEAD FREE, FBGA-63

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