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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Contact Manufacturer | 包装说明： | TSSOP, TSSOP48,.8,20 |
| Reach Compliance Code： | compliant | 风险等级： | 5.72 |
| 最长访问时间： | 30 ns | 命令用户界面： | YES |
| 数据轮询： | NO | JESD-30 代码： | R-PDSO-G48 |
| 内存密度： | 268435456 bit | 内存集成电路类型： | FLASH |
| 内存宽度： | 8 | 湿度敏感等级： | 1 |
| 部门数/规模： | 2K | 端子数量： | 48 |
| 字数： | 33554432 words | 字数代码： | 32000000 |
| 最高工作温度： | 70 °C | 最低工作温度： | |
| 组织： | 32MX8 | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | TSSOP | 封装等效代码： | TSSOP48,.8,20 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
| 页面大小： | 512 words | 并行/串行： | PARALLEL |
| 峰值回流温度（摄氏度）： | 225 | 电源： | 3.3 V |
| 认证状态： | Not Qualified | 就绪/忙碌： | YES |
| 部门规模： | 16K | 最大待机电流： | 0.00005 A |
| 子类别： | Flash Memories | 最大压摆率： | 0.02 mA |
| 标称供电电压 (Vsup)： | 3.3 V | 表面贴装： | YES |
| 技术： | CMOS | 温度等级： | COMMERCIAL |
| 端子形式： | GULL WING | 端子节距： | 0.5 mm |
| 端子位置： | DUAL | 处于峰值回流温度下的最长时间： | NOT SPECIFIED |
| 切换位： | NO | 类型： | NAND TYPE |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K9F5608U0C-YIB0 | SAMSUNG |
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512Mb/256Mb 1.8V NAND Flash Errata |
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| K9F5608U0C-YIB00 | SAMSUNG |
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Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 20 MM, 0.50 MM PITCH, PLASTIC, TSOP1-48 |
|
| K9F5608U0C-YIB0T | SAMSUNG |
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暂无描述 |
|
| K9F5608U0D | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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| K9F5608U0D-F | SAMSUNG |
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32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608U0D-FCB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
|
| K9F5608U0D-FCB00 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48 |
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| K9F5608U0DFCB000 | SAMSUNG |
获取价格 |
Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 17 X 12 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP-48 |
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| K9F5608U0D-FCB0T | SAMSUNG |
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Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48 |
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| K9F5608U0D-FIB0 | SAMSUNG |
获取价格 |
32M x 8 Bit NAND Flash Memory |
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