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K9F5608U0D-FCB0T

更新时间： 2024-11-27 10:22:35
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 846K
描述
Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48

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K9F5608U0D-FCB0T 技术参数

是否无铅： 不含铅是否Rohs认证： 符合
生命周期：Obsolete包装说明：TSSOP, TSSOP48,.71,20
Reach Compliance Code：compliant风险等级：5.84
最长访问时间：30 ns命令用户界面：YES
数据轮询：NOJESD-30 代码：R-PDSO-G48
JESD-609代码：e3内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
湿度敏感等级：1部门数/规模：2K
端子数量：48字数：33554432 words
字数代码：32000000最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：TSSOP
封装等效代码：TSSOP48,.71,20封装形状：RECTANGULAR
封装形式：SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH页面大小：512 words
并行/串行：PARALLEL峰值回流温度（摄氏度）：225
电源：3/3.3 V认证状态：Not Qualified
就绪/忙碌：YES部门规模：16K
最大待机电流：0.00005 A子类别：Flash Memories
最大压摆率：0.025 mA表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子面层：Matte Tin (Sn)端子形式：GULL WING
端子节距：0.5 mm端子位置：DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间：NOT SPECIFIED切换位：NO

K9F5608U0D-FCB0T 数据手册

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K9F5608R0D  
K9F5608U0D  
FLASH MEMORY  
K9F5608B0D  
K9F5608X0D  
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NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,  
EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
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2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or similar  
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defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.  
* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.  
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型号 品牌 获取价格 描述 数据表
K9F5608U0D-FIB0 SAMSUNG

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 		32M x 8 Bit NAND Flash Memory
K9F5608U0D-FIB00 SAMSUNG

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 		Flash, 32MX8, 30ns, PDSO48, 12 X 17 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP1-48
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