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K9F5608U0DFCB000

更新时间： 2024-11-26 21:11:39
品牌 Logo 应用领域
三星 - SAMSUNG 光电二极管内存集成电路
页数 文件大小 规格书
35页 847K
描述
Flash, 32MX8, 45ns, PDSO48, 17 X 12 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP-48

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K9F5608U0DFCB000 技术参数

生命周期：Obsolete零件包装代码：SOIC
包装说明：17 X 12 MM, 0.70 MM HEIGHT, LEAD FREE, PLASTIC, WSOP-48针数：48
Reach Compliance Code：unknownECCN代码：3A991.B.1.A
HTS代码：8542.32.00.51风险等级：5.83
最长访问时间：45 nsJESD-30 代码：R-PDSO-G48
长度：15.4 mm内存密度：268435456 bit
内存集成电路类型：FLASH内存宽度：8
功能数量：1端子数量：48
字数：33554432 words字数代码：32000000
工作模式：ASYNCHRONOUS最高工作温度：70 °C
最低工作温度：组织：32MX8
封装主体材料：PLASTIC/EPOXY封装代码：VSSOP
封装形状：RECTANGULAR封装形式：SMALL OUTLINE
并行/串行：PARALLEL编程电压：3.3 V
认证状态：Not Qualified座面最大高度：0.7 mm
最大供电电压 (Vsup)：3.6 V最小供电电压 (Vsup)：2.7 V
标称供电电压 (Vsup)：3.3 V表面贴装：YES
技术：CMOS温度等级：COMMERCIAL
端子形式：GULL WING端子节距：0.5 mm
端子位置：DUAL类型：NAND TYPE
宽度：12 mmBase Number Matches：1

K9F5608U0DFCB000 数据手册

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K9F5608R0D  
K9F5608U0D  
FLASH MEMORY  
K9F5608B0D  
K9F5608X0D  
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EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,  
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