是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | LBGA, |
针数: | 165 | Reach Compliance Code: | compliant |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.87 | Is Samacsys: | N |
最长访问时间: | 3.2 ns | 其他特性: | PIPELINED ARCHITECTURE |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B165 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 17 mm | 内存密度: | 37748736 bit |
内存集成电路类型: | ZBT SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 165 |
字数: | 1048576 words | 字数代码: | 1000000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 1MX36 | |
封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY | 封装代码: | LBGA |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY, LOW PROFILE |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
认证状态: | Not Qualified | 座面最大高度: | 1.4 mm |
最大供电电压 (Vsup): | 2.625 V | 最小供电电压 (Vsup): | 2.375 V |
标称供电电压 (Vsup): | 2.5 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 15 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7N323645M-FC22 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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K7N323645M-FC220 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 2.8ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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K7N323645M-FC25 | SAMSUNG |
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1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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K7N323645M-FC250 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PBGA165, 15 X 17 MM, 1 MM PITCH, FBGA-165 |
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K7N323645M-HC150 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX36, 3.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7N323645M-HC160 | SAMSUNG |
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ZBT SRAM, 1MX36, 3.5ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7N323645M-HC220 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7N323645M-HC25 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7N323645M-HC250 | SAMSUNG |
获取价格 |
ZBT SRAM, 1MX36, 2.6ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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K7N323645M-QC13 | SAMSUNG |
获取价格 |
1Mx36 & 2Mx18 Pipelined NtRAM |
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