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K7M321825M-90

更新时间： 2024-01-25 05:44:16

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三星 - SAMSUNG		静态存储器
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5页	34K
描述
SRAM

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K7M321825M-90 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

K7M321825M-90 数据手册

K7M323625M

K7M321825M

Preliminary

1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM^TM

(TOP VIEW)

119BGA PACKAGE PIN CONFIGURATIONS

K7M321825M(2Mx18)

VDDQ

CS2

ADV

VDD

CS1

CS2

DQb

VDD

DQb

DQPb

VSS

BWb

VSS

LBO

VSS

BWa

VSS

DQPa

DQa

VDD

DQa

VDDQ

DQa

VDDQ

DQb

VDDQ

VDD

CLK

CKE

A1*

A0*

VDD

VDDQ

DQa

DQb

VDDQ

DQb

VDDQ

DQa

VDDQ

TMS

TDI

TCK

TDO

VDDQ

Note : * A0 and A1 are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.

PIN NAME

SYMBOL

PIN NAME

SYMBOL

PIN NAME

Address Inputs

VDD

VSS

Power Supply

Ground

A0,A1

ADV

CLK

CKE

CS1

Burst Address Inputs

Address Advance/Load

Read/Write Control Input

Clock

Clock Enable

Chip Select

No Connect

N.C.

Data Inputs/Outputs

DQa

DQb

DQPa, Pb

CS2

Chip Select

CS2

Chip Select

BWx

(x=a,b)

Byte Write Inputs

Output Power Supply

VDDQ

LBO

Output Enable

Power Sleep Mode

Burst Mode Control

TCK

TMS

TDI

JTAG Test Clock

JTAG Test Mode Select

JTAG Test Data Input

JTAG Test Data Output

TDO

- 5 -

May 2001

Rev 0.0

1 2 3 45

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型号	品牌	描述	获取价格	数据表
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