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K7M321825M-90

更新时间： 2024-01-05 07:44:33

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三星 - SAMSUNG		静态存储器
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5页	34K
描述
SRAM

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K7M321825M-90 技术参数

生命周期：	Obsolete	包装说明：	,
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.84
Base Number Matches：	1

K7M321825M-90 数据手册

K7M323625M

K7M321825M

Preliminary

1Mx36 & 2Mx18 Flow-Through NtRAM^TM

(TOP VIEW)

PIN CONFIGURATION

N.C.

VDDQ

VSSQ

N.C.

A10

N.C.

VDDQ

VSSQ

N.C.

DQa0

DQa1

DQa2

VSSQ

VDDQ

DQa3

DQa4

VSS

N.C.

DQb8

DQb7

VSSQ

VDDQ

DQb6

DQb5

VSS

100 Pin TQFP

VDD

VSS

VDD

(20mm x 14mm)

VDD

VSS

DQb4

DQb3

VDDQ

VSSQ

DQb2

DQb1

DQb0

N.C.

VSSQ

VDDQ

N.C.

DQa5

DQa6

VDDQ

VSSQ

DQa7

DQa8

N.C.

VSSQ

VDDQ

N.C.

K7M321825M(2Mx18)

PIN NAME

SYMBOL

PIN NAME

Address Inputs

TQFP PIN NO.

SYMBOL

PIN NAME

TQFP PIN NO.

A0 - A19

32,33,34,35,36,37,43 VDD

44,45,46,47,48,49,50, VSS

8081,82,83,84,99,100

Power Supply(+3.3V) 15,16,41,65,91

Ground

14,17,40,66,67,90

ADV

Address Advance/Load

Read/Write Control Input 88

Clock

Clock Enable

Chip Select

No Connect

1,2,3,6,7,25,28,29,30,

38,39,42,43,51,52,53,

56,57,75,78,79,95,96

N.C.

CLK

CKE

CS1

CS2

Data Inputs/Outputs

58,59,62,63,68,69,72,73,74

8,9,12,13,18,19,22,23,24

DQa0~a8

DQb0~b8

BWx(x=a,b) Byte Write Inputs

93,94

Output Enable

Power Sleep Mode

Output Power Supply 4,11,20,27,54,61,70,77

(2.5V or 3.3V)

VDDQ

VSSQ

LBO

Burst Mode Control

Output Ground

5,10,21,26,55,60,71,76

Notes : 1. A0 and A1 are the two least significant bits(LSB) of the address field and set the internal burst counter if burst is desired.

- 3 -

May 2001

Rev 0.0

1 234 5

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