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| 是否无铅： | 含铅 | 是否Rohs认证： | 不符合 |
| 生命周期： | Obsolete | 包装说明： | BGA, BGA119,7X17,50 |
| Reach Compliance Code： | unknown | 风险等级： | 5.92 |
| 最长访问时间： | 3.3 ns | 最大时钟频率 (fCLK)： | 183 MHz |
| I/O 类型： | COMMON | JESD-30 代码： | R-PBGA-B119 |
| JESD-609代码： | e0 | 内存密度： | 9437184 bit |
| 内存集成电路类型： | STANDARD SRAM | 内存宽度： | 36 |
| 湿度敏感等级： | 3 | 端子数量： | 119 |
| 字数： | 262144 words | 字数代码： | 256000 |
| 工作模式： | SYNCHRONOUS | 最高工作温度： | 70 °C |
| 最低工作温度： | 组织： | 256KX36 | |
| 输出特性： | 3-STATE | 封装主体材料： | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码： | BGA | 封装等效代码： | BGA119,7X17,50 |
| 封装形状： | RECTANGULAR | 封装形式： | GRID ARRAY |
| 并行/串行： | PARALLEL | 峰值回流温度（摄氏度）： | 260 |
| 电源： | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态： | Not Qualified |
| 最大待机电流： | 0.05 A | 最小待机电流： | 3.14 V |
| 子类别： | SRAMs | 最大压摆率： | 0.42 mA |
| 表面贴装： | YES | 技术： | CMOS |
| 温度等级： | COMMERCIAL | 端子面层： | Tin/Lead (Sn/Pb) |
| 端子形式： | BALL | 端子节距： | 1.27 mm |
| 端子位置： | BOTTOM | 处于峰值回流温度下的最长时间： | 40 |
| Base Number Matches： | 1 |
| 型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
| K7A803609A-HC20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7A803609A-HC200 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7A803609A-HC20T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119 |
|
| K7A803609A-HC220 | SAMSUNG |
获取价格 |
Cache SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 |
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| K7A803609A-QC18 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7A803609A-QC180 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 |
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| K7A803609A-QC18T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100 |
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| K7A803609A-QC20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100 |
|
| K7A803609A-QC20T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100 |
|
| K7A803609A-QC22 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100 |
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