是否Rohs认证: | 不符合 | 生命周期: | Obsolete |
零件包装代码: | BGA | 包装说明: | BGA, BGA119,7X17,50 |
针数: | 119 | Reach Compliance Code: | unknown |
ECCN代码: | 3A991.B.2.A | HTS代码: | 8542.32.00.41 |
风险等级: | 5.91 | 最长访问时间: | 3.1 ns |
最大时钟频率 (fCLK): | 200 MHz | I/O 类型: | COMMON |
JESD-30 代码: | R-PBGA-B119 | JESD-609代码: | e0 |
长度: | 22 mm | 内存密度: | 9437184 bit |
内存集成电路类型: | CACHE SRAM | 内存宽度: | 36 |
功能数量: | 1 | 端子数量: | 119 |
字数: | 262144 words | 字数代码: | 256000 |
工作模式: | SYNCHRONOUS | 最高工作温度: | 70 °C |
最低工作温度: | 组织: | 256KX36 | |
输出特性: | 3-STATE | 封装主体材料: | PLASTIC/EPOXY |
封装代码: | BGA | 封装等效代码: | BGA119,7X17,50 |
封装形状: | RECTANGULAR | 封装形式: | GRID ARRAY |
并行/串行: | PARALLEL | 峰值回流温度(摄氏度): | NOT SPECIFIED |
电源: | 2.5/3.3,3.3 V | 认证状态: | Not Qualified |
最大待机电流: | 0.05 A | 最小待机电流: | 3.14 V |
子类别: | SRAMs | 最大压摆率: | 0.46 mA |
最大供电电压 (Vsup): | 3.465 V | 最小供电电压 (Vsup): | 3.135 V |
标称供电电压 (Vsup): | 3.3 V | 表面贴装: | YES |
技术: | CMOS | 温度等级: | COMMERCIAL |
端子面层: | Tin/Lead (Sn/Pb) | 端子形式: | BALL |
端子节距: | 1.27 mm | 端子位置: | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间: | NOT SPECIFIED | 宽度: | 14 mm |
Base Number Matches: | 1 |
型号 | 品牌 | 获取价格 | 描述 | 数据表 |
K7A803609A-HC200 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7A803609A-HC20T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PBGA119 | |
K7A803609A-HC220 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PBGA119, BGA-119 | |
K7A803609A-QC18 | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100 | |
K7A803609A-QC180 | SAMSUNG |
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Cache SRAM, 256KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100, 20 X 14 MM, TQFP-100 | |
K7A803609A-QC18T | SAMSUNG |
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Standard SRAM, 256KX36, 3.3ns, CMOS, PQFP100 | |
K7A803609A-QC20 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100 | |
K7A803609A-QC20T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 3.1ns, CMOS, PQFP100 | |
K7A803609A-QC22 | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100 | |
K7A803609A-QC22T | SAMSUNG |
获取价格 |
Standard SRAM, 256KX36, 2.8ns, CMOS, PQFP100 |