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K7A401809B-QI25T

更新时间： 2024-11-15 14:43:03

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
19页	413K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 2.4ns, CMOS, PQFP100

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K7A401809B-QI25T 技术参数

是否无铅：	不含铅	是否Rohs认证：	不符合
生命周期：	Obsolete	包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87
Reach Compliance Code：	unknown	风险等级：	5.92
最长访问时间：	2.4 ns	最大时钟频率 (fCLK)：	250 MHz
I/O 类型：	COMMON	JESD-30 代码：	R-PQFP-G100
JESD-609代码：	e1	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	85 °C	最低工作温度：	-40 °C
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）：	NOT SPECIFIED	电源：	2.5/3.3,3.3 V
认证状态：	Not Qualified	最大待机电流：	0.05 A
最小待机电流：	3.14 V	子类别：	SRAMs
最大压摆率：	0.4 mA	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	INDUSTRIAL
端子面层：	TIN SILVER COPPER	端子形式：	GULL WING
端子节距：	0.635 mm	端子位置：	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间：	NOT SPECIFIED	Base Number Matches：	1

K7A401809B-QI25T 数据手册

K7A403609B

K7A403209B

K7A401809B

128Kx36/x32 & 256Kx18 Synchronous SRAM

4Mb Sync. Pipelined Burst SRAM

Specification

100 TQFP with Pb & Pb-Free

(RoHS compliant)

INFORMATION IN THIS DOCUMENT IS PROVIDED IN RELATION TO SAMSUNG PRODUCTS,

AND IS SUBJECT TO CHANGE WITHOUT NOTICE.

NOTHING IN THIS DOCUMENT SHALL BE CONSTRUED AS GRANTING ANY LICENSE,

EXPRESS OR IMPLIED, BY ESTOPPEL OR OTHERWISE,

TO ANY INTELLECTUAL PROPERTY RIGHTS IN SAMSUNG PRODUCTS OR TECHNOLOGY.

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2. Samsung products are not intended for use in life support, critical care, medical, safety equipment, or simi-

lar applications where Product failure could result in loss of life or personal or physical harm, or any military

or defense application, or any governmental procurement to which special terms or provisions may apply.

* Samsung Electronics reserves the right to change products or specification without notice.

Rev. 3.0 July 2006

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型号	品牌	获取价格	描述	数据表
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K7A401849A-PC20T	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 3.1ns, CMOS, PQFP100
K7A401849A-PC220	SAMSUNG	获取价格	Standard SRAM, 256KX18, 2.8ns, CMOS, PQFP100

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