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K7A401844A-PC140

更新时间： 2024-01-01 04:28:52

品牌	Logo	应用领域
三星 - SAMSUNG		时钟静态存储器内存集成电路
页数	文件大小	规格书
16页	418K
描述
Standard SRAM, 256KX18, 4ns, CMOS, PQFP100

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K7A401844A-PC140 技术参数

是否Rohs认证：	符合	生命周期：	Active
包装说明：	QFP, QFP100,.63X.87	Reach Compliance Code：	compliant
风险等级：	5.8	最长访问时间：	4 ns
最大时钟频率 (fCLK)：	138 MHz	I/O 类型：	COMMON
JESD-30 代码：	R-PQFP-G100	内存密度：	4718592 bit
内存集成电路类型：	STANDARD SRAM	内存宽度：	18
端子数量：	100	字数：	262144 words
字数代码：	256000	工作模式：	SYNCHRONOUS
最高工作温度：	70 °C	最低工作温度：
组织：	256KX18	输出特性：	3-STATE
封装主体材料：	PLASTIC/EPOXY	封装代码：	QFP
封装等效代码：	QFP100,.63X.87	封装形状：	RECTANGULAR
封装形式：	FLATPACK	并行/串行：	PARALLEL
电源：	2.5 V	认证状态：	Not Qualified
最大待机电流：	0.04 A	最小待机电流：	2.37 V
子类别：	SRAMs	最大压摆率：	0.32 mA
标称供电电压 (Vsup)：	2.5 V	表面贴装：	YES
技术：	CMOS	温度等级：	COMMERCIAL
端子形式：	GULL WING	端子节距：	0.635 mm
端子位置：	QUAD	Base Number Matches：	1

K7A401844A-PC140 数据手册

K7A403644A

K7A401844A

PRELIMINARY

128Kx36 & 256Kx18 Synchronous SRAM

Document Title

128Kx36 & 256Kx18-Bit Synchronous Pipelined Burst SRAM

Revision History

Remark

Rev. No

Draft Date

History

Preliminary

0.0

0.1

Nov . 05. 1999

April. 03. 2000

Initial draft

1. Changed DC condition at Icc, ISB , ISB1 & ISB2 .

Icc ; from 290mA to 340mA at -15,

from 270mA to 320mA at -14,

ISB ; from 80mA to 90mA at -15,

from 80mA to 90mA at -14,

ISB1 ; from 50mA to 80mA,

ISB2 ; from 30mA to 40mA,

Preliminary

0.2

May. 15. 2000

1. Changed input & output capacitance.

CIN

; from 6pF to 5pF,

COUT ; from 8pF to 7pF,

The attached data sheets are prepared and approved by SAMSUNG Electronics. SAMSUNG Electronics CO., LTD. reserve the right to change the

specifications. SAMSUNG Electronics will evaluate and reply to your requests and questions on the parameters of this device. If you have any ques-

tions, please contact the SAMSUNG branch office near your office, call or contact Headquarters.

- 1 -

May 2000

Rev 0.2

12 3 4 5 6 7...16

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